武汉新芯集成电路股份有限公司曹开玮获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利存储块及其制程方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311083226.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储块及其制程方法是由曹开玮设计研发完成，并于2023-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储块及其制程方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种存储块及其制程方法。存储块包括：存储阵列中的每个存储子阵列层包括层叠的漏区、沟道和源区半导体层；漏区、沟道和源区半导体层分别包括沿行方向分布、沿列方向延伸的多条漏区、沟道和源区半导体条；多层存储子阵列层中的一列漏区、沟道和源区半导体条为一列半导体条状结构；漏源引出区域设有沿行、列方向分别间隔的多个漏源连接端单元，每个所述漏源连接端单元中的漏源连接端连接对应列所述半导体条状结构中的一层漏区源区半导体条。该存储块能避免同一漏源连接端单元中沿列方向相邻两个漏源连接端出现桥接情况。
本发明授权存储块及其制程方法在权利要求书中公布了：1.一种存储块，其特征在于，包括： 衬底； 存储阵列，设于所述衬底上，并包括呈三维阵列分布的多个存储单元，其中，所述存储阵列包括沿高度方向依次层叠的多个存储子阵列层，每个所述存储子阵列层包括沿所述高度方向层叠的漏区半导体层、沟道半导体层和源区半导体层；每个所述存储子阵列层中的所述漏区半导体层、沟道半导体层和源区半导体层分别包括沿行方向分布的多条漏区半导体条、沟道半导体条和源区半导体条，每条所述漏区半导体条、沟道半导体条和源区半导体条分别沿列方向延伸；多层所述存储子阵列层中的一列所述漏区半导体条、沟道半导体条和源区半导体条定义为一列半导体条状结构； 至少一漏源引出区域，其中，所述漏源引出区域设置有多个漏源连接端单元，所述多个漏源连接端单元沿所述行方向和所述列方向分别间隔设置；其中，每个所述漏源连接端单元中的漏源连接端连接对应列所述半导体条状结构中的一层漏区源区半导体条。
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