湖北江城实验室陈翀一获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北江城实验室申请的专利半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411711717.7，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体封装结构及其制造方法是由陈翀一;彭昊阳;刘淑娟;谷牧阳设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体封装结构及其制造方法。其中，半导体封装结构包括堆叠设置的多个半导体芯片；至少一个半导体芯片包括沿多个不同方向布置的多个应力检测结构；应力检测结构位于半导体芯片的互连结构中；多个半导体芯片包括穿过至少一个半导体芯片且与应力检测结构连接的引出结构；引出结构将应力检测结构引出至多个半导体芯片的顶部或者底部。
本发明授权半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括堆叠设置的多个半导体芯片； 至少一个所述半导体芯片包括沿多个不同方向布置的多个应力检测结构；所述应力检测结构位于所述半导体芯片的互连结构中； 所述多个半导体芯片包括穿过至少一个所述半导体芯片且与所述应力检测结构连接的引出结构；所述引出结构将所述应力检测结构引出至所述多个半导体芯片的顶部或者底部； 所述引出结构包括虚设硅通孔、虚设导通孔和引出焊盘；其中， 所述虚设硅通孔穿过至少一个所述半导体芯片； 所述虚设导通孔位于所述半导体芯片的互连结构中； 所述引出焊盘位于所述多个半导体芯片的顶部或者底部，用于接收或者输出应力测试信号，所述应力测试信号由所述多个半导体芯片的外部施加至所述引出焊盘，或者，由所述引出焊盘输出至所述多个半导体芯片的外部； 所述半导体封装结构还包括位于相邻两个所述半导体芯片之间的键合结构； 所述引出结构包括位于所述键合结构中的互相连接且贯穿所述键合结构的虚设键合导通孔和虚设键合焊盘； 所述虚设键合导通孔和所述虚设键合焊盘连接在所述虚设硅通孔和所述虚设导通孔之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北江城实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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