北京字跳网络技术有限公司黄振获国家专利权
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龙图腾网获悉北京字跳网络技术有限公司申请的专利Micro LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311110237.0，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权Micro LED芯片及其制作方法是由黄振;王程功;李铎;李晓凯设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本Micro LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了MicroLED芯片及其制作方法。MicroLED芯片包括：驱动背板，驱动背板具有像素驱动电路；第一反射层，第一反射层设置在驱动背板的一侧；多个间隔设置的第一导电膜层；多个LED发光单元，多个LED发光单元设置在第一导电膜层远离驱动背板的一侧；钝化层，钝化层至少覆盖LED发光单元的侧壁；第二反射层，第二反射层至少覆盖钝化层的侧壁；第一绝缘层；第二导电膜层，第二导电膜层与LED发光单元接触；以及多个凹面反射层，凹面反射层设置在第一绝缘层远离驱动背板的一侧，每个凹面反射层环绕一个LED发光单元设置。凹面反射层可以至少在一定程度上降低LED发光单元之间的光串扰并收敛出光发散角，提高芯片的光提取效率。
本发明授权Micro LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED芯片，其特征在于，包括： 驱动背板，所述驱动背板具有像素驱动电路； 第一反射层，所述第一反射层设置在所述驱动背板的一侧； 多个间隔设置的第一导电膜层，所述第一导电膜层设置在所述第一反射层远离所述驱动背板的一侧； 多个LED发光单元，多个所述LED发光单元设置在所述第一导电膜层远离所述驱动背板的一侧； 钝化层，所述钝化层至少覆盖所述LED发光单元的侧壁； 第二反射层，所述第二反射层至少覆盖所述钝化层的侧壁； 第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第二反射层的部分表面以及所述第一反射层的部分表面； 第二导电膜层，所述第二导电膜层与所述LED发光单元接触；以及 多个凹面反射层，所述凹面反射层设置在所述第一绝缘层远离所述驱动背板的一侧，每个所述凹面反射层环绕一个所述LED发光单元设置。
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