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龙图腾网获悉南京大学申请的专利基于氮化硅薄膜的太赫兹超导动态电感探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584847B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411679199.5，技术领域涉及：H10N69/00；该发明授权基于氮化硅薄膜的太赫兹超导动态电感探测器及制备方法是由陈健;陈俊桦;苏润丰;谭睿设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于氮化硅薄膜的太赫兹超导动态电感探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于氮化硅薄膜的太赫兹超导动态电感探测器及制备方法，探测器包括：衬底，为上下表面均具有氮化硅薄膜的硅衬底；太赫兹超导动态电感探测器像素阵列；和衬底挖孔阵列，衬底挖孔阵列以太赫兹超导动态电感探测器像素阵列为基准，设于衬底下表面，通过除去硅衬底和硅衬底下表面的氮化硅薄膜得到，衬底挖孔阵列和太赫兹超导动态电感探测器像素阵列之间为硅衬底上表面的氮化硅薄膜。本发明探测器中太赫兹超导动态电感探测器像素阵列的各个单元的谐振频率各不相同，便于采用频分复用技术读出，太赫兹超导动态电感探测器像素阵列各个单元蜿蜒电感所在位置下方实现了衬底挖孔阵列，能够提高对光子的响应度，进而提高其探测灵敏度。

本发明授权基于氮化硅薄膜的太赫兹超导动态电感探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氮化硅薄膜的太赫兹超导动态电感探测器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底为上下表面均具有氮化硅薄膜的硅衬底； 沉积于衬底上表面的太赫兹超导动态电感探测器像素阵列； 和衬底挖孔阵列，所述衬底挖孔阵列以太赫兹超导动态电感探测器像素阵列为基准，设于衬底下表面，通过除去硅衬底和硅衬底下表面的氮化硅薄膜得到，所述衬底挖孔阵列和太赫兹超导动态电感探测器像素阵列之间为硅衬底上表面的氮化硅薄膜；所述太赫兹超导动态电感探测器像素阵列的每个探测器像素单元包括： 谐振器电路，所述谐振器电路通过接收入射光使得谐振频率发生变化，进而表征对入射光信号的探测； 和共面波导馈线，所述共面波导馈线由中心馈线和地平面组成，所述共面波导馈线与谐振器电路耦合，将谐振器电路的谐振频率频分复用至外部频率检测装置，由外部频率检测装置检测谐振频率的变化，进而表征谐振器电路对入射光信号的探测；所述谐振器电路，包括： 蜿蜒电感，所述蜿蜒电感通过接收太赫兹频率的入射光能量，破坏库伯对产生准粒子，进而产生动态电感的变化； 和叉趾电容，所述叉趾电容与蜿蜒电感连接，两者一起组成谐振器电路，进而与共面波导馈线耦合，所述谐振器电路动态电感的变化使得谐振器频率发生变化，并将谐振频率变化这一信息通过共面波导馈线传递至外部频率检测装置，其中，修改叉趾电容数量将改变谐振器电路的谐振频率；所述蜿蜒电感部分所用材料为铝，其余部分所用材料为钽。

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