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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种分子动力学模拟卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411581738.1，技术领域涉及：G16C20/10；该发明授权一种分子动力学模拟卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的方法是由周航;伍莹;丁孙安设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分子动力学模拟卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分子动力学模拟卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的方法；所述方法为：通过硅或二氧化硅衬底材料建模、LAMMPS软件初始化设置、等离子体刻蚀循环、数据输出与分析处理；本发明的方法利用分子动力学的方法在原子尺度上模拟等离子体‑表面相互作用机制，分析表面改性层的性质，模拟刻蚀条件独立可控，不同能量、入射角、入射剂量的等离子体刻蚀均可模拟，可以准确分析单一变量对刻蚀结果的影响；能准确、快速地预测不同入射条件下卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的效果，避免了实验带来的高成本、复杂性和不确定性，大幅缩短了卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅工艺的开发流程。

本发明授权一种分子动力学模拟卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的方法在权利要求书中公布了：1.一种分子动力学模拟卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1硅或二氧化硅衬底材料建模：利用建模软件MaterialsStudio按照硅或二氧化硅的晶格结构构建衬底材料的初始结构模型，确定几何参数并保存读取至LAMMPS中，使用fix命令固定底部两层硅或二氧化硅原子，所述几何参数，包括原子数量、表面积大小、堆叠层数和形状结构，根据模拟需要设置； 2LAMMPS软件初始化设置：分别针对LAMMPS模拟环境参数、力场、能量最小化、初始温度、弛豫、等离子体生成区域和屏幕输出进行设置，并对硅或二氧化硅衬底、等离子体刻蚀物质、刻蚀产物进行分组，用于刻蚀过程识别； 所述等离子体生成区域的设置，具体为：在衬底表面上方5Å处设置等离子体生成区域，衬底表面高度定义为每次刻蚀循环开始前系统中最高原子的z坐标； 所述屏幕输出的设置，具体为：使用thermo命令设置屏幕打印系统信息的时间步长间隔，thermo_style命令设置输出的物理量包括体系势能、动能、温度、压强、当前的时间步数、体系原子总数； 所述分组的设置，具体为：使用group命令对硅或二氧化硅衬底、等离子体刻蚀物质、刻蚀产物进行分组，用于刻蚀过程识别； 3等离子体刻蚀循环：设置刻蚀循环的次数，创建刻蚀离子并根据入射离子种类设置半径和密度、根据离子能量设置初速度，并设置入射角，设置原子电荷保持电荷中性；进行单次离子轰击循环：首先除底部固定原子外，所有原子都在nve系综下演化0.5-2ps使得入射离子的动能充分释放到衬底材料并发生随后的碰撞级联，然后对整个系统应用恒温器算法将温度冷却至初始温度，最后将未与材料结合的物质从系统中删除，剩余的原子形成了下一次离子轰击的输入模型； 4数据输出与分析处理：将待测的宏观测量参数输出，使用OVITO软件可视化，并分析硅或二氧化硅衬底表面改性层的性质以及硅的刻蚀产量、产物组分；使用dump和dump_modify命令将待测的宏观测量参数包括原子类型、速度、坐标、受力、直径及其他计算量每隔一定时间步输出，所述硅刻蚀产量为单次离子轰击中移除的硅原子的平均数量。

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