齐鲁中科电工先进电磁驱动技术研究院;中国科学院电工研究所李玉泉获国家专利权
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龙图腾网获悉齐鲁中科电工先进电磁驱动技术研究院;中国科学院电工研究所申请的专利一种线性大功率半导体激光器驱动电源前馈控制模型、系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411831721.7，技术领域涉及：G05B19/042；该发明授权一种线性大功率半导体激光器驱动电源前馈控制模型、系统及方法是由李玉泉;徐飞;张法瑞;段家珩;史黎明;李子欣;高范强;赵聪;范满义设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种线性大功率半导体激光器驱动电源前馈控制模型、系统及方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种线性大功率半导体激光器驱动电源前馈控制模型、系统及方法，模型包括：半导体激光器内阻、半导体激光器内部寄生电感、接线造成的走线电感等效的电感、半导体激光器内部寄生电容及驱动电路造成寄生电容共同作用形成的等效电容。本发明提出的二阶控制模型既实现了和实际测试电流波形相对应，又避免了相对传统提出的高阶模型控制复杂，难以工程应用。
本发明授权一种线性大功率半导体激光器驱动电源前馈控制模型、系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种线性大功率半导体激光器驱动电源前馈控制模型，其特征在于，包括：半导体激光器内阻、半导体激光器内部寄生电感、接线造成的走线电感等效的电感、半导体激光器内部寄生电容及驱动电路造成寄生电容共同作用形成的等效电容； 线性大功率半导体激光器驱动电源根据线性大功率半导体激光器驱动电源前馈控制模型计算出半导体激光器电流的小信号的控制量为： 9 其中，为前馈控制量，，K：为传递增益，：为驱动电源的MOSFET导通电压阈值，为输入控制电压，是接线造成的走线电感等效的电感的电感值，为半导体激光器内阻的阻值，是等效电容，是半导体激光器电流的小信号，τ是和系统设计目标带宽相关的参数，s是拉普拉斯算子。
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