重庆康佳光电科技有限公司柴圆圆获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电科技有限公司申请的专利一种发光芯片的外延层转移方法及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653932B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311176291.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种发光芯片的外延层转移方法及制作方法是由柴圆圆;王涛;成飞设计研发完成，并于2023-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光芯片的外延层转移方法及制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种发光芯片的外延层转移方法及制作方法，发光芯片的外延层转移方法包括：在承载基板上形成半固态的第一蚀刻型胶层，并在衬底承载的外延层上形成半固态的第二蚀刻型胶层；通过刻蚀减薄第一蚀刻型胶层和第二蚀刻型胶层中的至少之一的厚度；将减薄处理后的第一蚀刻型胶层与第二蚀刻型胶层进行对位压合；去除衬底。通过刻蚀速率以及刻蚀时间的控制可将蚀刻型胶层刻蚀至需求的任意厚度，由此可制作出足够薄的蚀刻型胶层。减薄蚀刻型胶层后再键合，可减小第一蚀刻型胶层、第二蚀刻型胶层压合后形成的键合层的整体厚度，有利于后续制作过程中的激光剥离，可减少胶层在发光芯片的出光面上的残留，优化了发光芯片的出光效果。
本发明授权一种发光芯片的外延层转移方法及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种发光芯片的外延层转移方法，其特征在于，包括： 在承载基板上形成半固态的第一蚀刻型胶层，并在衬底承载的外延层上形成半固态的第二蚀刻型胶层； 通过刻蚀减薄所述第一蚀刻型胶层和所述第二蚀刻型胶层中的至少之一的厚度； 将减薄处理后的所述第一蚀刻型胶层与所述第二蚀刻型胶层进行对位压合； 去除所述衬底。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆康佳光电科技有限公司，其通讯地址为：402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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