东莞市中镓半导体科技有限公司王彦彬获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉东莞市中镓半导体科技有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管外延结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673761B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411925848.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权高电子迁移率晶体管外延结构及其制作方法是由王彦彬;敖辉;颜建锋;庄文荣设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管外延结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构及其制作方法，包括：提供蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上生长硼掺杂的第一缓冲层：生长时，将反应材料中硼的组分在第一预设时长中，从第一预设值逐渐降低至0，并在硼组分降低为0后还持续生长第二预设时长，以使所述第一缓冲层中，x逐渐变小，硼组分从下至上逐渐降低到0；在所述第一缓冲层上生长不掺杂硼的GaN的第二缓冲层，所述第二缓冲层的生长速率低于所述第一缓冲层的生长速率，所述第二缓冲层的厚度大于所述第一缓冲层的厚度；在所述第二缓冲层上依次生长GaN高阻层和GaN外延叠层。与现有技术相比，本发明可有效改善器件的缺陷密度，降低漏电，提高器件的稳定性，一致性。
本发明授权高电子迁移率晶体管外延结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管外延结构的制作方法，其特征在于：包括： 提供蓝宝石衬底； 在所述蓝宝石衬底上生长硼掺杂的第一缓冲层：生长时，将反应材料中硼的组分在第一预设时长中，从第一预设值x逐渐降低至0，并在硼组分降低为0后还持续生长第二预设时长，以使所述第一缓冲层中，x逐渐变小，硼组分从下至上逐渐降低到0； 在所述第一缓冲层上生长不掺杂硼的GaN的第二缓冲层，所述第二缓冲层的生长速率低于所述第一缓冲层的生长速率，所述第二缓冲层的厚度大于所述第一缓冲层的厚度； 在所述第二缓冲层上依次生长GaN高阻层和GaN外延叠层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东莞市中镓半导体科技有限公司，其通讯地址为：523000 广东省东莞市企石镇五纵路3号1号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励