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龙图腾网获悉东莞市中镓半导体科技有限公司申请的专利氮化镓衬底及其制作方法以及半导体器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673763B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411761634.9，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权氮化镓衬底及其制作方法以及半导体器件的制作方法是由王瑞;王彦彬;敖辉;庄文荣;颜建锋设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓衬底及其制作方法以及半导体器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓衬底的制作方法，包括：在氮化镓模板上从下至上依次交替生长N个第一低温氮化镓层和N个第二高温氮化镓层以形成第一外延层，第一低温氮化镓层为在低温范围内生长的硅掺杂的氮化镓膜，第二高温氮化镓层为在高温范围内生长的非掺杂的氮化镓膜；剥离氮化镓模板的生长衬底；电化学刻蚀第一外延层，每一第一低温氮化镓层被刻蚀出孔洞结构，使得第一外延层被刻蚀为多孔氮化镓厚膜；在最上层的第二高温氮化镓层上依次生长第三低温氮化镓层和掺杂的第四高温氮化镓层以形成无孔氮化镓厚膜。本发明提供一种同质化的氮化镓衬底，降低了生长衬底上下表面温差导致的负翘曲的大小。本发明还公开了半导体器件的制作方法以及氮化镓衬底。

本发明授权氮化镓衬底及其制作方法以及半导体器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓衬底的制作方法，其特征在于：包括： 在氮化镓模板上从下至上依次交替生长N个第一低温氮化镓层和N个第二高温氮化镓层以形成第一外延层，所述氮化镓模板包括生长衬底，所述第一低温氮化镓层为在低温范围内生长的硅掺杂的氮化镓膜，所述第二高温氮化镓层为在高温范围内生长的非掺杂的氮化镓膜，N为1或者大于等于2的整数； 剥离所述氮化镓模板的生长衬底； 电化学刻蚀第一外延层，电流流过硅掺杂的第一低温氮化镓层时硅杂质聚集的地方会形成腐蚀孔，使得每一所述第一低温氮化镓层被刻蚀出孔洞结构，第一外延层被刻蚀为多孔氮化镓厚膜； 在所述多孔氮化镓厚膜中最上层的第二高温氮化镓层上依次生长第三低温氮化镓层和第四高温氮化镓层以形成无孔氮化镓厚膜，所述第三低温氮化镓层为低温范围内生长的氮化镓膜，所述第四高温氮化镓层为高温范围生长的掺杂的氮化镓膜； 所述第一低温氮化镓层和第三低温氮化镓层生长的低温范围为850-950℃，所述第二高温氮化镓层和第四高温氮化镓层生长的高温范围为1000-1100℃。

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