盛美半导体设备(上海)股份有限公司杜阳获国家专利权
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龙图腾网获悉盛美半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种提高晶圆电镀厚度均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119710851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311278137.9，技术领域涉及：C25D7/12；该发明授权一种提高晶圆电镀厚度均匀性的方法是由杜阳;王晖;杨宏超;金一诺设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高晶圆电镀厚度均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明提出提高晶圆电镀厚度均匀性的方法，包括：在包含扩散板的电镀腔内对晶圆电镀；检测晶圆电镀高度；将电镀高度输入晶圆模型，将晶圆模型沿径向方向划分为若干同心环区域，且在扩散板模型上设置与晶圆模型相对应的若干同心环区域，扩散板模型上均匀分布有孔径均一的通孔；取任意电镀高度值为基准值，计算其它环区域电镀高度值与基准值的差值，确定每个环区域的电镀高度待调整率；使扩散板模型上的每个环区域通孔总面积待调整率等于晶圆模型上每个环区域的电镀高度待调整率，并确定扩散板模型各环区域通孔的总面积待调整值，以获得优化的扩散板模型。本发明通过扩散板的优化，有助于提高电镀质量，使晶圆的电镀厚度更为均匀。
本发明授权一种提高晶圆电镀厚度均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高晶圆电镀厚度均匀性的方法，其特征在于，包括： 在设置有扩散板的电镀腔内对晶圆执行电镀工艺； 检测电镀工艺完成后晶圆表面的电镀高度； 将所述电镀高度输入晶圆模型，将所述晶圆模型沿径向方向划分为若干同心环区域，且在与所述扩散板对应的扩散板模型上设置与所述晶圆模型相对应的若干同心环区域，所述扩散板模型上均匀分布有孔径均一的通孔； 取所述晶圆模型任意环区域的电镀高度值为基准值，计算所述晶圆其它环区域电镀高度值与所述基准值的差值，确定所述晶圆每个环区域的电镀高度待调整率； 使所述扩散板模型上的每个环区域通孔总面积待调整率等于所述晶圆模型上每个环区域的电镀高度待调整率，并确定所述扩散板模型各环区域通孔的总面积待调整值，以获得优化的扩散板模型。
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