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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种低损耗烧结提纯氮化铝原料的装配方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119735442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411601809.X，技术领域涉及：C04B35/581；该发明授权一种低损耗烧结提纯氮化铝原料的装配方法是由王守志;杜家宸;张雷;曹文豪;朱亚军;吕令爽;王国栋;徐现刚设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低损耗烧结提纯氮化铝原料的装配方法在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化铝原料处理技术领域，具体为一种低损耗烧结提纯氮化铝原料的装配方法。所述方法包括以下步骤：自钨坩埚底部由下向上依次设置底钨片层、一次烧结粉碎料层、中钨片层、混合料层、顶钨片层；最后将坩埚盖加盖到坩埚顶部，完成装配。装配完成后将坩埚置于单晶生长炉中进行烧结，烧结采用分梯度烧结的工艺，烧结完成后便可以得到黄褐色的高质量AlN多晶烧结体，该烧结体的杂质含量较低，缩聚均匀，颗粒在烧结过程中发生了长大，同时损耗率也保持在较低水平，使得该烧结料在颗粒度、杂质含量、损耗率等方面都达到了高质量AlN单晶生长的需要。

本发明授权一种低损耗烧结提纯氮化铝原料的装配方法在权利要求书中公布了：1.一种低损耗烧结提纯氮化铝原料的装配方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：取一个高为132mm、内径为87mm、壁厚为5mm的钨坩埚为装填坩埚； S2：取一定量的钨片单层放置于钨坩埚底部，得到底钨片层；每个钨片的面积为50-100mm2，厚度为0.1-0.3mm，钨片总放置面积为坩埚底面积的75-85%； S3：将氮化铝原料粉末在700-750torr、1700-1800℃的条件下烧结12-14h，得到一次烧结体，将一次烧结体粉碎、筛选，得到一次烧结粉碎料，取300g一次烧结粉碎料填充于钨坩埚底钨片层上方； S4：另取一定量的钨片，单层放置于一次烧结粉碎料上方，得到中钨片层；每个钨片的面积为50-100mm2，厚度为0.1-0.3mm，钨片总放置面积为坩埚底面积的45-55%； S5：将步骤S3所述的一次烧结粉碎料在740-780torr的压力下，分梯度烧结，先升温至2250-2330℃，恒温烧结12-14h，再降温至2150-2200℃，恒温烧结12-14h，自然冷却至室温，得到二次烧结体；将二次烧结体粉碎、筛选，得到二次烧结粉碎料；各取100g一次烧结粉碎料与二次烧结粉碎料，充分混合得到混合料；将所述混合料填充于所述中钨片层上方； S6：另取一定量的钨片，单层放置于步骤S5所述混合料上方，得到顶钨片层；每个钨片的面积为400-500mm2，厚度为0.1-0.3mm，钨片总放置面积为坩埚底面积的45-55%； S7：将坩埚盖加盖到坩埚顶部，完成装配。

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