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龙图腾网获悉北京理工大学;中国科学院物理研究所申请的专利一种介质激光加速器微纳加速结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119750492B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510039869.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种介质激光加速器微纳加速结构及制备方法是由王茜蒨;刘子扬;张忠山;彭中设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种介质激光加速器微纳加速结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种介质激光加速器微纳加速结构制备方法，利用FIB对晶圆侧壁进行加工，使用离子束轰击5mm长度的边，刻穿0.2mm的厚度，由于离子束与厚度面平行，可以得到一个光滑平整的平面，解决效率低的问题；紫外光刻图案化宽度为3μm的划片线，电感耦合等离子体深硅刻蚀深度＞40μm，紫外光刻背面对准图案化的光栅镂空区，电感耦合等离子体深硅刻蚀深度＞160μm，通过紫外光刻光栅镂空区并定位，通过双面深硅刻蚀刻穿整个厚度，得到光滑平整的光栅待加工平面。在侧面和背面刻蚀得到的方孔的高台处进行介质激光加速器微纳加速结构制备，避免电子加速实验过程中对电子的遮挡；整个加工流程可以得到放入TEM极靴的小尺寸侧面微纳结构，满足实验要求。

本发明授权一种介质激光加速器微纳加速结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种介质激光加速器微纳加速结构的制备方法，其特征在于，包括: a、把厚度为0.2mm的硅片切割成高度为0.2mm的长方体硅片； b、在长方体硅片的单面镀2μm厚氧化硅膜； c、将长方体硅片没有镀氧化硅膜的一面定义为正面，另一面为背面；在长方体硅片正面进行紫外光刻，由此在长度方向的中线上形成宽度为3μm的第一划片线6； d、将第一划片线6深度刻蚀为＞40μm； e、在长方体硅片镀有镀氧化硅膜一面的正中心处，通过紫外光刻，形成边长为40μm的方形沉孔，所述方形沉孔的深度为20μm，并在长度方向的中线上形成第二划片线7，将其刻蚀深度＞160μm； f、将长方体硅片沿中心线的第一划片线6和第二划片线7裂开，形成具有两片光滑平整平面的结构； g、长方体硅片沿划片线裂开后，在方形沉孔的位置，一侧边缘有沉孔，另一侧边缘相对于沉孔为凸起，则形成台阶，在该台阶上，采用聚焦离子束双束刻蚀系统进行光栅直写，得到微纳加速结构。

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