湖北江城实验室陈翀一获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖北江城实验室申请的专利半导体结构的设计方法、设计设备及计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119761127B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411891660.3，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权半导体结构的设计方法、设计设备及计算机可读存储介质是由陈翀一;刘淑娟;彭昊阳;江仲开设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的设计方法、设计设备及计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的设计方法、设计设备及计算机可读存储介质，其中，半导体结构的设计方法包括：调整代表性体积元内的金属线的布线方式，以获取具有不同的金属线布线方式的多个代表性体积元；对多个代表性体积元建立多个第一有限元仿真模型，并分别获取多个第一有限元仿真模型的等效材料性能；分别基于多个第一有限元仿真模型的等效材料性能以及衬底的材料性能，对待设计的半导体结构建立多个第二有限元仿真模型，并模拟多个第二有限元仿真模型在热处理过程中以及经历热处理过程后的翘曲变形情况。
本发明授权半导体结构的设计方法、设计设备及计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的设计方法，其特征在于，待设计的半导体结构包括衬底以及位于所述衬底上的互连层，所述互连层包括多个呈周期性排列的最小可重复体积单元，将所述最小可重复体积单元作为所述互连层的代表性体积元，所述代表性体积元包括层间介质层以及位于所述层间介质层内的多个金属线；所述设计方法包括： 调整所述代表性体积元内的金属线的布线方式，以获取具有不同的金属线布线方式的多个代表性体积元； 分别对多个所述代表性体积元建立多个第一有限元仿真模型，并分别获取多个所述第一有限元仿真模型的等效材料性能； 分别基于多个所述第一有限元仿真模型的等效材料性能以及所述衬底的材料性能，对所述待设计的半导体结构建立多个第二有限元仿真模型，并模拟多个所述第二有限元仿真模型在热处理过程中以及经历热处理过程后的翘曲变形情况。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北江城实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励