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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种采用氮化镓全集成工艺基于高压电容的电平移位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119766225B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411833259.4，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种采用氮化镓全集成工艺基于高压电容的电平移位电路是由孙伟锋;郑逸飞;王闻逸;宋明宇;董千恒;钱钦松;时龙兴设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用氮化镓全集成工艺基于高压电容的电平移位电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用氮化镓全集成工艺基于高压电容的电平移位电路，包括抗噪电平转换单元、噪声钳位单元、高速锁存单元、复位单元；抗噪电平转换单元能够实现低侧输入信号到高侧输出信号的转换，而且其对称结构能够有效抑制共模噪声；噪声钳位单元功能是有效抑制dVSdt噪声对电路影响以及钳位关键节点电压防止击穿；高速锁存单元功能是将输入脉冲信号快速还原为电平信号；复位单元的功能是产生脉冲信号打开开关管帮助关键节点泄放电荷；上述整体电路能较好解决传统电平移位电路在电路功耗与传输延时的折衷问题、电平移位电路延迟随VS变化以及受dVSdt噪声影响失效的问题。

本发明授权一种采用氮化镓全集成工艺基于高压电容的电平移位电路在权利要求书中公布了：1.一种采用氮化镓全集成工艺基于高压电容的电平移位电路，包括抗噪电平转换单元、噪声钳位单元、高速锁存单元、复位单元；抗噪电平转换单元实现低侧输入信号到高侧输出信号的转换，其对称结构能够抑制共模噪声；噪声钳位单元抑制dVSdt噪声对电路影响以及钳位关键节点电压防止击穿；高速锁存单元将输入脉冲信号快速还原为电平信号；复位单元产生脉冲信号打开开关管帮助关键节点泄放电荷；输入信号VPWM连接抗噪电平转换单元的输入端口；抗噪电平转换单元的输出端口节点为VSET和VRESET分别连接高速锁存单元的两个输入端口；高速锁存单元输出端口节点为VHA和VHB分别连接复位单元的两个输入端口；复位单元三个输出端口连接抗噪电平转换单元的VOP、VOS、VON节点，辅助提高抗噪电平转换单元对称结构中两个氮化镓晶体管的栅极下拉速率，增强电路对高频输入信号的响应；噪声钳位单元连接抗噪电平转换单元的VOP、VOS、VON节点； 所述抗噪电平转换单元包括第一增强型晶体管100、第二增强型晶体管101、第一电阻102、第二电阻103、第三电阻104、第四电阻105、第五电阻106、第一高压电容107、第二高压电容108、第三高压电容109、第一缓冲器110、第二缓冲器111、第三缓冲器112和第一反相器113； 第一增强型晶体管100的漏极连接第一电阻102的一端，第一电阻102的另一端连接高侧电源VB，第二增强型晶体管101的漏极连接第二电阻103的一端，第二电阻103的另一端连接高侧电源VB，第一增强型晶体管100、第二增强型晶体管101的源极相连并和第二高压电容108的一端相连，第一增强型晶体管100的栅极连接第一高压电容107的一端，第二增强型晶体管101的栅极连接第三高压电容109的一端，第三电阻104一端连接第一高压电容107的一端，第四电阻105一端连接第二高压电容108的一端，第五电阻106一端连接第三高压电容109的一端，第三电阻104、第四电阻105、第五电阻106的另一端共同连接高侧地VS；第一缓冲器110、第二缓冲器111、第三缓冲器112和第一反相器113的电源轨为VDD-GND；输入信号VPWM连接第一缓冲器110的输入端口和第一反相器113的输入端口，第一缓冲器110的输出端口连接第一高压电容107的一端，第二缓冲器111的输入端口接低侧地GND，第二缓冲器111的输出端口连接第二高压电容108的一端，第三缓冲器112的输入端口接第一反相器113的输出端口，第三缓冲器112的输出端口连接第三高压电容109的一端； 所述高速锁存单元的电源轨为VB-VS；所述高速锁存单元包括第一二极管200、第二二极管201、第三二极管202、第四二极管203、第六电阻204、第七电阻205、第八电阻212、第九电阻213、第三增强型晶体管206、第四增强型晶体管207、第五增强型晶体管210、第六增强型晶体管211、第一电容208、第二电容209和输出级第四缓冲器214； 第三增强型晶体管206的栅极连接第三二极管202的阳极和第一电容208的一端，第三增强型晶体管206的漏极连接第六电阻204的一端，第三增强型晶体管206的源极连接第一电容208的另一端、第五增强型晶体管210的栅极、第六增强型晶体管211的漏极以及第八电阻212的一端，第四增强型晶体管207的栅极连接第四二极管203的阳极和第二电容209的一端，第四增强型晶体管207的漏极连接第七电阻205的一端，第四增强型晶体管207的源极连接第二电容209的另一端、第五增强型晶体管210的漏极、第六增强型晶体管211的栅极、第九电阻213的一端以及第四缓冲器214的输入端，第一二极管200的阳极连接第三二极管202的阴极，第一二极管200的阴极连接高侧电源VB，第二二极管201的阳极连接第四二极管203的阴极，第二二极管201的阴极连接高侧电源VB，第六电阻204、第七电阻205的另一端连接高侧电源VB，第五增强型晶体管210、第六增强型晶体管211的源极以及第八电阻212、第九电阻213的另一端连接高侧地VS； 所述噪声钳位单元的电源轨为VB-VS，包括第七增强型晶体管300、第八增强型晶体管301、第九增强型晶体管302、第五二极管303、第六二极管304和第七二极管305；第七增强型晶体管300的漏极接第五二极管303的阴极，第七增强型晶体管300的栅极连接第九增强型晶体管302的栅极、第八增强型晶体管301的栅极和漏极，第八增强型晶体管301的漏极接第六二极管304的阴极，第九增强型晶体管302的漏极接第七二极管305的阴极，第五二极管303、第六二极管304、第七二极管305的阳极以及第七增强型晶体管300、第八增强型晶体管301、第九增强型晶体管302的源极共同连接高侧地VS； 所述复位单元的电源轨为VB-VS，包括脉冲产生模块、第十增强型晶体管407、第十一增强型晶体管408和第十二增强型晶体管409；脉冲产生模块的输入接口连接高速锁存单元的VHA、VHB节点，脉冲产生模块的输出端口输出Vctrl信号并连接第十增强型晶体管407、第十一增强型晶体管408和第十二增强型晶体管409的栅极，第十增强型晶体管407、第十一增强型晶体管408和第十二增强型晶体管409的源极共同连接高侧地VS，第十增强型晶体管407、第十一增强型晶体管408和第十二增强型晶体管409的漏极分别连接抗噪电平转换单元的VOP、VOS、VON节点。

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