湖北兴福电子材料股份有限公司余迪获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北兴福电子材料股份有限公司申请的专利一种相对于SiO和Si的SiGe选择性蚀刻液获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119799339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411842541.9，技术领域涉及：C09K13/08；该发明授权一种相对于SiO和Si的SiGe选择性蚀刻液是由余迪;尹印;贺兆波;叶瑞;臧洋;马瑞;万杨阳;杨陈宗;杨俊伟;余建平;路明设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种相对于SiO和Si的SiGe选择性蚀刻液在说明书摘要公布了：本发明描述了一种相对于SiO和Si的SiGe选择性蚀刻液。所述蚀刻液包括按照质量分数计的以下组分：氟化物0.001‑10wt％；氧化剂0.001‑60wt%；缓冲组合物0.01‑50wt%；二氧化硅抑制剂0.0001‑10wt％；硅抑制剂0.0001‑10wt％；稳定剂0.0001‑20wt％；余量为水。本发明组合物可用于在制造微电子器件的过程中从其上具有Si、SiO和SiGe叠层的微电子器件相对于Si和SiO而选择性地去除SiGe。
本发明授权一种相对于SiO和Si的SiGe选择性蚀刻液在权利要求书中公布了：1.一种相对于SiO和Si的SiGe选择性蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液包括按照质量分数计的以下组分： 氟化物0.001-10wt％； 氧化剂0.001-60wt%； 缓冲组合物0.01-50wt%； 二氧化硅抑制剂0.0001-10wt％； 硅抑制剂0.0001-10wt％； 稳定剂0.0001-20wt％； 余量为水； 所述缓冲组合物为含胺化合物和多官能有机酸，缓冲组合物为醋酸-醋酸铵缓冲体系或柠檬酸-柠檬酸铵缓冲体系，缓冲pH在1-7； 所述硅抑制剂是多乙烯多胺-酰胺型阳离子聚合物，是由多乙烯多胺和脲基化合物、环氧氯丙烷反应得到； 所述二氧化硅抑制剂为硅烷，硅烷为甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、巯丙基三甲氧基硅烷、氰乙基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷的一种或多种； 所述稳定剂为甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丙二醇或丙三醇。
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