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龙图腾网获悉山东非金属材料研究所申请的专利一种定点检测晶体硅中掺杂元素含量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119804612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510000162.3，技术领域涉及：G01N27/62；该发明授权一种定点检测晶体硅中掺杂元素含量的方法是由鲁毅;王泽熙;郭国建;由欣然;董俊伟;张雨;钟文旭;刘霞;王威设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种定点检测晶体硅中掺杂元素含量的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种定点检测晶体硅中掺杂元素含量的方法，涉及质谱检测技术领域。采用二次离子质谱法和电感耦合等离子体质谱法联用对含有掺杂元素的晶体硅中某一离子深度中掺杂元素含量进行定点检测。具体的，采用二次离子质谱法检测晶体硅样品的单位信号强度并计算信号总强度，采用电感耦合等离子体质谱法检测晶体硅样品中掺杂元素的总含量，利用单位信号强度uβ、总信号强度和掺杂元素的总含量，计算得晶体硅样品中某一离子深度下掺杂元素含量。本发明选择二次离子质谱法和电感耦合等离子体质谱法联用以实现掺杂元素的定量定点分析，保证了检测准确性，还避免了二次离子质谱法中标准样品的使用，克服了其在检测元素分布含量上的使用局限性。

本发明授权一种定点检测晶体硅中掺杂元素含量的方法在权利要求书中公布了：1.一种定点检测晶体硅中掺杂元素含量的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将含有掺杂元素的晶体硅作为待测样品，将待测样品置于二次离子质谱仪中，采用一次离子束轰击待测样品的表面，溅射出二次离子； 根据待测样品中掺杂元素的总离子深度H和需定点检测的掺杂元素的离子深度h、二次离子的溅射速度v和单位时间t，确定单位时间的总数α和需定点检测的掺杂元素对应的单位时间数β； 检测并记录每个单位时间对应的信号强度，即得单位信号强度ui，其中，i=1,2,3…α，再利用单位信号强度ui和单位时间的总数α计算得信号总强度U； 其中，单位时间的总数α的计算公式为：， 式中，α为单位时间的总数；H为待测样品中掺杂元素的总离子深度，单位为nm；v为二次离子的溅射速度，单位为nms；t为单位时间，单位为s； 需定点检测的掺杂元素对应的单位时间数β为：， 式中，β为需定点检测的掺杂元素对应的单位时间数，其为小于等于α的正整数；h为需定点检测的掺杂元素的离子深度，单位为nm；v为二次离子的溅射速度，单位为nms；t为单位时间，单位为s； 2将待测样品消解后，得待测样品溶液，采用电感耦合等离子质谱法检测待测样品溶液中掺杂元素的总含量n； 3根据式I计算得待测样品中某一离子深度下掺杂元素含量N， 式I， 式I中，N为待测样品中掺杂元素浓度N，以原子个数计；n为待测样品中掺杂元素的总含量，以原子个数计；U为信号总强度；uβ为第β次单位时间对应的单位信号强度，其中，β为小于等于α的正整数。

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