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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种可考核NOR型Flash存储器数据保持性能的试验方案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411857276.1，技术领域涉及：G11C29/38；该发明授权一种可考核NOR型Flash存储器数据保持性能的试验方案是由黄姣英;李明政;高成;游文超设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可考核NOR型Flash存储器数据保持性能的试验方案在说明书摘要公布了：本发明提出一种可考核NOR型Flash存储器数据保持性能的试验方案，重点关注擦写循环对数据保持性能的影响，统一了Flash存储器试验的擦写循环次数，规定了明确的温度选取准则，为Flash存储器相关试验提供参考，步骤如下：步骤一：从算法设计复杂度和故障覆盖率两方面，确定NOR型Flash存储器的基础测试算法为Checkerboard算法；步骤二：改进Checkerboard算法流程，确定数据保持故障的判别步骤；步骤三：开展预实验确定NOR型Flash存储器数据保持性能试验温度、擦写次数和样品个数；步骤四：确定常温下数据保持试验的擦写次数和各擦写次数下的样品数量；步骤五：确定测试图案、失效判据、试验时长和测试周期；步骤六：基于无替换定时截尾试验，进行结合擦写循环的数据保持试验；步骤七：试验数据处理，将计算得到不同擦写次数下的平均失效时间与擦写次数进行数据拟合，得出平均失效时间与擦写次数的对应关系。

本发明授权一种可考核NOR型Flash存储器数据保持性能的试验方案在权利要求书中公布了：1.一种可考核NOR型Flash存储器数据保持性能的试验方法，包括以下步骤： 步骤S1：从算法设计复杂度和故障覆盖率两方面，确定NOR型Flash存储器的基础测试算法为Checkerboard算法； 步骤S2：改进Checkerboard算法流程，确定数据保持故障的判别步骤； 步骤S3：开展预试验确定NOR型Flash存储器数据保持性能试验温度分别为85°、125°和150°，擦写次数分别为10次和500次；各组样品均为3个，样品数量共18个； 步骤S4：确定常温下数据保持试验的擦写次数分别为10、1000、10000、30000以及50000次，各擦写次数下的样品数量均为4个，样品数量共20个； 步骤S5：确定测试图案、失效判据、试验时长和测试周期； 步骤S6：基于无替换定时截尾试验，进行结合擦写循环的数据保持试验； 步骤S7：试验数据处理，将计算得到不同擦写次数下的平均失效时间与擦写次数进行数据拟合，得出平均失效时间与擦写次数的对应关系； 在步骤S2中，在擦写过程中，选择全部写入数据“0”，擦写次数，按需要选择不同的次数，进行Checkerboard数据写入与验证需在擦写循环结束之后进行； 写入Checkerboard测试图案，第一次读取数据是验证数据是否正常写入，如果在这一步验证中发生数据错误，则是固定故障、翻转故障、写干扰故障以及耦合故障中的一种，而非数据保持故障； 在进行数据保持试验之后的第二次读取数据，是验证正常写入的数据是否出现故障，如果在这一步验证中发生数据错误，检出的故障则认为是数据保持故障； 在预试验进行中，每保持100个小时读取各器件存储的数据与最初写入的数据进行对比，若某试验温度下，首次器件出现数据保持故障且其余功能正常，则选择该温度作为数据保持试验温度； 在步骤S5中，在擦写循环过程中应使用全“0”图案进行写入，激发数据保持故障应写入Checkerboard图案，设定试验时长为1000小时，选择每20小时进行一次测试。

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