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龙图腾网获悉南京大学申请的专利基于CMOS的大延时芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119814008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411877460.2，技术领域涉及：H03K5/14；该发明授权基于CMOS的大延时芯片是由杜源;殷梓萌;程新晟;吕晶晶;杜力设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于CMOS的大延时芯片在说明书摘要公布了：本申请提供一种基于CMOS的大延时芯片，包括基板和延时电路，延时电路包括至少一个延时单元，多个延时单元采用二进制权重级联结构依次连接，目标延时单元与下一个延时单元之间连接低噪声放大器，均设置在基板上。延时单元包括四个晶体管、延时态和参考态，参考态包括第一电感，两端分别连接第一晶体管、第二晶体管；延时态包括延时线，两端分别连接第三晶体管、第四晶体管；且第一晶体管与第三晶体管连接，第二晶体管与第四晶体管连接。延时单元中，低延时单元的延时线设置在低延时单元本体内，高延时单元的延时线设置在基板上。可增加延迟时间，减小工作频带内的损耗，解决延时器芯片延迟时间短且损耗波动大的问题。

本发明授权基于CMOS的大延时芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于CMOS的大延时芯片，其特征在于，包括：基板和延时电路，所述延时电路包括至少一个延时单元，多个所述延时单元采用二进制权重级联结构依次连接，其中，目标延时单元与下一个所述延时单元之间连接有低噪声放大器，所述目标延时单元为损耗达到损耗阈值的所述延时单元，所述延时单元和所述低噪声放大器设置在所述基板上； 所述延时单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、延时态和参考态，所述参考态包括第一电感、电阻和第一电容，所述第一电感的两端分别与所述第一晶体管的漏端、所述第二晶体管的源端连接，所述第一电感的两端分别并联有所述第一电容，所述第一电感的两端还分别并联有所述电阻，所述电阻的一端与所述第一电感连接，所述电阻的另一端与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地；所述延时态包括延时线和第二电感，所述延时线的两端分别与所述第三晶体管的漏端、所述第四晶体管的源端连接，所述延时单元的输入端和输出端、所述延时线的两端分别做阻抗匹配，所述延时线的两端分别连接有所述第二电感，其中一个所述第二电感的一端连接所述第三晶体管的漏端，另一端连接所述延时线的输入端；另一个所述第二电感的一端连接所述延时线的输出端，另一端连接所述第四晶体管的源端，所述第二电感用于阻抗匹配；所述第一晶体管的源端与所述第三晶体管的源端连接，所述第二晶体管的漏端与所述第四晶体管的漏端连接； 所述延时单元包括低延时单元和高延时单元，所述低延时单元的所述延时线设置在所述低延时单元本体内，所述高延时单元的所述延时线设置在所述基板上。

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