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龙图腾网获悉河南嘉晨智能控制股份有限公司申请的专利一种MOS退饱和保护电路及应用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119834157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411945677.2，技术领域涉及：H02H3/08；该发明授权一种MOS退饱和保护电路及应用方法是由韩新红;刘毅;李飞;姚欣设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOS退饱和保护电路及应用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOS退饱和保护电路及应用方法，属于保护电路技术领域，包括：检测MOS的漏极电压，若漏极电压大于第一预设值，则判定MOS发生短路故障；基于MOS的开通状态识别短路故障的短路类型，基于消隐时间开启短路保护；在短路保护对应的保护响应期间，储能电路存储能量，能量与施加电压成正比；基于储能电路的能量和使能电路的功率消耗，动态调整打嗝频率；在短路故障对应的故障锁存期间，MOS保持关闭状态，至能量耗散结束后解除故障锁存，MOS恢复正常工作状态；若短路故障持续存在，则电路将重复执行此步骤，基于打嗝频率进入打嗝模式，至短路故障结束。通过本发明可以确保故障检测期间器件不损坏。

本发明授权一种MOS退饱和保护电路及应用方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS退饱和保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：主MOS电路、开通电路、保护使能电路、保护电路以及储能电路； 所述主MOS电路包括主MOSFETQ1； 所述开通电路包括第四晶体管Q4和缓冲器； 所述保护使能电路包括第三晶体管Q3和第四电阻R4； 所述保护电路包括第一二极管D1、第二二极管D2和齐纳二极管ZD1； 所述储能电路包括一个电容C1； 其中，所述开通电路中所述第四晶体管Q4的基极连接到齐纳二极管ZD1的正极，所述第四晶体管Q4的集电极连接到所述缓冲器的输入端，所述第四晶体管Q4的发射极接地；所述第四晶体管Q4的基极还通过电阻R9接地；驱动控制输入通过电阻R7连接至所述缓冲器的输入端； 所述缓冲器的输出端通过电阻R8连接MOSFETQ1的栅极，所述MOSFETQ1的源极接地，所述MOSFETQ1的漏极连接所述第三晶体管Q3的发射极，所述第三晶体管Q3的发射极与基极之间连接有电阻R4，所述第三晶体管Q3的集电极连接所述第一二极管D1的正极，第一二极管D1的负极连接电阻R1和电阻R6的一端，所述电阻R1的另一端通过电容C1接地，所述电阻R6的另一端连接所述齐纳二极管ZD1的负极；所述第三晶体管Q3的基极通过电阻R5连接MOSFETQ2的漏极，所述MOSFETQ2的源极接地；所述缓冲器的输出端还连接电阻R3和电阻R2的一端，所述电阻R3的另一端连接第二二极管D2的负极，所述电阻R2的另一端连接第二二极管D2的正极和所述MOSFETQ2的栅极。

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