华南理工大学耿魁伟获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于Ga2O3/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510017438.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于Ga2O3/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用是由耿魁伟;林勇徽;刘玉荣设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于Ga2O3/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于Ga2O3ITZO异质结光电忆阻器、制备方法和应用，该光电忆阻器包括由下至上依次设置的底电极层、Ga2O3层、IZTO层以及顶电极层；其中，所述Ga2O3层、IZTO层作为异质结构层。最终形成了一个具有三明治结构的光电忆阻器件。本发明制备工艺简单，可大规模制备，性能优异稳定，在电信号与多波长光信号下都具有明显的忆阻效应，并且阻值可以根据电压值或者光照强度的不同而发生变化，其阻值变化与人类大脑的神经突触具有高度相似性。这种特性使得光电忆阻器能够模拟生物神经突触的行为，具有感知和记忆一体的视觉仿生系统的能力。
本发明授权一种基于Ga2O3/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于Ga2O3ITZO异质结光电忆阻器，其特征在于，包括由下至上依次设置的底电极层、Ga2O3层、ITZO层以及顶电极层；其中，所述Ga2O3层、ITZO层作为异质结构层； 所述Ga2O3层为纳米级薄膜层的形式； 或者，所述ITZO层以纳米级薄膜的形式附着在Ga2O3层上； 所述Ga2O3层和IZTO异质结薄膜层的厚度为170nm～200nm； 所述顶电极层厚度为70nm～100nm；所述底电极层厚度为150nm。
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