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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种封装结构中热致翘曲分布的预测方法及相关装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119851817B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411902643.5，技术领域涉及：G16C20/70；该发明授权一种封装结构中热致翘曲分布的预测方法及相关装置是由曹鹤;徐勤志;刘建云;李志强设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种封装结构中热致翘曲分布的预测方法及相关装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种封装结构中热致翘曲分布的预测方法及相关装置，可用于半导体制造领域，该方法中，首先，获取封装结构的材料特征参数以及结构参数；而后，在基于封装结构中的参考点与各个芯粒位置关系建立的多个局部坐标系中，基于材料特征参数和结构参数，分别计算封装结构中各个非对称基本单元导致的翘曲值；接着，叠加各个非对称基本单元导致的翘曲值，得到封装结构中各芯粒的第一翘曲分布数据；最后，基于第一翘曲分布数据，以及预设的翘曲热点阈值，确定翘曲热点坐标以及翘曲值。由此，通过叠加各个非基本单元导致的翘曲值预测封装结构中热致翘曲分布，能够在不增加过多计算复杂度的情况下对多芯粒封装结构快速进行翘曲预测。

本发明授权一种封装结构中热致翘曲分布的预测方法及相关装置在权利要求书中公布了：1.一种封装结构中热致翘曲分布的预测方法，其特征在于，所述方法包括： 获取封装结构的材料特征参数以及结构参数； 在基于封装结构中的参考点与各个芯粒位置关系建立的多个局部坐标系中，基于所述材料特征参数和所述结构参数，分别计算封装结构中各个非对称基本单元导致的翘曲值；具体为：在基于封装结构中的参考点与各个芯粒位置关系建立的多个局部坐标系中，分别计算所述参考点的坐标，以及所述参考点与芯粒连线延长线与所述封装结构边缘的两个交点的坐标；基于各个芯粒分别对应的参考点的坐标以及两个交点的坐标，分别计算封装结构中各个非对称基本单元导致的翘曲值； 叠加所述各个非对称基本单元导致的翘曲值，得到所述封装结构中各芯粒的第一翘曲分布数据； 基于所述第一翘曲分布数据，以及预设的翘曲热点阈值，确定翘曲热点坐标以及翘曲值；具体为：基于所述第一翘曲分布数据，从封装结构的多个切平面中确定在第一整体坐标系下方向余弦最小的稳定平面；基于所述稳定平面，建立第二整体坐标系；基于所述第一翘曲分布数据以及所述第二整体坐标系，计算得到第二翘曲分布数据；基于所述第二翘曲分布数据，以及预设的翘曲热点阈值，确定翘曲热点坐标以及翘曲值。

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