中国科学院微电子研究所芮定海获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种表面等离子体光刻成像结构、方法及计算机可读介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119861533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510291891.9，技术领域涉及：G03F7/09；该发明授权一种表面等离子体光刻成像结构、方法及计算机可读介质是由芮定海;张利斌;韦亚一;粟雅娟设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种表面等离子体光刻成像结构、方法及计算机可读介质在说明书摘要公布了：本申请提供一种表面等离子体光刻成像结构、方法及计算机可读介质，包括：反射层、光刻胶、第一谐振腔结构和掩模层；反射层设置在待刻蚀结构一侧，光刻胶设置在反射层远离待刻蚀结构的一侧，第一谐振腔结构设置在光刻胶远离待刻蚀结构的一侧；掩模层设置在第一谐振腔结构远离待刻蚀结构的一侧；通过在表面等离子体光刻成像结构的掩模层和光刻胶之间设置第一谐振腔结构，增强光场的局域化效应，进一步突破衍射极限，优化成像性能，提升分辨率。
本发明授权一种表面等离子体光刻成像结构、方法及计算机可读介质在权利要求书中公布了：1.一种表面等离子体光刻成像结构，其特征在于，包括： 设置在待刻蚀结构一侧的反射层； 所述反射层远离所述待刻蚀结构的一侧设置有光刻胶； 所述光刻胶远离所述待刻蚀结构的一侧设置有第一谐振腔结构； 所述第一谐振腔结构远离所述待刻蚀结构的一侧设置有掩模层； 所述第一谐振腔结构包括第一叠层结构，所述第一叠层结构包括第一金属层和第一介质层，所述第一介质层设置于所述第一金属层远离所述待刻蚀结构的一侧； 所述反射层和所述待刻蚀结构之间设置有第二谐振腔结构； 所述第二谐振腔结构包括至少一层第二叠层结构，所述第二叠层结构包括第二金属层和第二介质层，所述第二介质层设置于所述第二金属层远离所述待刻蚀结构的一侧。
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