广西科技大学郑伟光获国家专利权
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龙图腾网获悉广西科技大学申请的专利一种耦合声学黑洞的多层亥姆霍兹共振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411903019.7，技术领域涉及：G10K11/172；该发明授权一种耦合声学黑洞的多层亥姆霍兹共振器是由郑伟光;赵力;李霆锋设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耦合声学黑洞的多层亥姆霍兹共振器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耦合声学黑洞的多层亥姆霍兹共振器，包括外壳、亥姆霍兹共振器A和亥姆霍兹共振器B，所述亥姆霍兹共振器A和亥姆霍兹共振器B设置在包括外壳内。本发明使用双层亥姆霍兹共振器，在亥姆霍兹共振器A和亥姆霍兹共振器B相连处耦合声学黑洞结构。首先，声学黑洞结构降低了亥姆霍兹共振器A的质量，保证了多层亥姆霍兹共振器的轻薄，因其截断所产生开口A还为颈管B提供了接入口。而且声学黑洞结构因其结构特性，可以有效的使部分声波不再发生反射，还提升了一定的吸声性能。不仅如此，声学黑洞还能在较宽频域内吸声，扩展了亥姆霍兹腔体吸声频带。
本发明授权一种耦合声学黑洞的多层亥姆霍兹共振器在权利要求书中公布了：1.一种耦合声学黑洞的多层亥姆霍兹共振器，其特征在于：包括外壳1、亥姆霍兹共振器A2和亥姆霍兹共振器B，所述亥姆霍兹共振器A2和亥姆霍兹共振器B设置在外壳1内； 所述外壳1上设置开口C11，所述开口C11呈正方形，所述外壳1内设置背腔12，所述亥姆霍兹共振器A2和亥姆霍兹共振器B设置在背腔12内； 所述亥姆霍兹共振器A2包括连接管3和颈管A4，连接管3与颈管A4连接，所述亥姆霍兹共振器B包括颈管B5与背腔12，所述颈管B5与连接管3底部连接； 所述连接管3内设置声学黑洞6，所述声学黑洞6通过开口A31与颈管B5连通； 所述声学黑洞6的低端位于靠开口A31一侧，所述声学黑洞6的厚度按照指数函数递减，其中hx为厚度，m≥2，为任意常数。
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