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龙图腾网获悉厦门大学;厦门新镓能半导体科技有限公司申请的专利一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510103718.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法是由李成超;周斯加;杨伟锋设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型GaNHEMT器件的制备方法，包括：在衬底上生长成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和阻挡层；刻蚀掉中间位置的阻挡层及部分势垒层；在刻蚀区和阻挡层上表面外延生长盖帽层；将盖帽层减薄至阻挡层；去除阻挡层，露出势垒层；在势垒层、沟道层和缓冲层两侧进行离子注入得到离子注入隔离区；在势垒层上两侧等离子体处理后得到等离子体处理区，在等离子体处理区形成源极和漏极；在势垒层、源极、漏极和盖帽层上表面生长介质层；在介质层上形成栅极；在介质层和栅极上表面生长钝化层；刻蚀介质层和钝化层，露出栅极、源极和漏极。本发明还公开了一种增强型GaNHEMT器件，可以提高器件的性能。

本发明授权一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型GaNHEMT器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、在衬底上依次外延生长成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和阻挡层； 步骤2、刻蚀掉中间位置的阻挡层以及部分势垒层，得到刻蚀区； 步骤3、在刻蚀区和阻挡层上表面外延生长盖帽层； 步骤4、将盖帽层减薄至阻挡层的上表面； 步骤5、去除阻挡层，露出势垒层；在所述势垒层的两侧、沟道层的两侧和缓冲层的部分上表面两侧进行离子注入，得到离子注入隔离区； 步骤6、在势垒层的上方左侧和右侧分别定义出源极区域和漏极区域，在所述源极区域和漏极区域进行等离子体处理后得到等离子体处理区，在等离子体处理区的上表面形成源极和漏极，对源极和漏极进行退火后形成欧姆接触； 步骤7、在势垒层、源极、漏极和盖帽层上表面生长介质层； 步骤8、在介质层的上表面且盖帽层的正上方位置定义出栅极区域，在栅极区域形成栅极； 步骤9、在介质层和栅极上表面生长钝化层； 步骤10、刻蚀栅极上方的钝化层以及源极和漏极上方的介质层和钝化层，露出栅极、源极和漏极。

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