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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种互补型有机存算一体化非门电路及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894214B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510013728.6，技术领域涉及：H10K19/10；该发明授权一种互补型有机存算一体化非门电路及其制备方法是由王伟;魏海天设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种互补型有机存算一体化非门电路及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种互补型有机存算一体化非门电路及其制备方法，属于有机集成电路技术领域，包括衬底及位于其上的栅电极、铁电栅聚合物栅介质层、界面钝化层及有机半导体层，有机半导体层包括p型有机半导体层及n型有机半导体层，其上均设置有源电极及漏电极；p型有机晶体管存储器与n型有机晶体管存储器采用串联模式连接，共用一个栅电极作为输入端VIN；p型有机半导体层上的源电极与n型有机半导体层上的漏电极连接，作为输出端VOUT。本发明的非门电路在执行非逻辑运算的基础上，增加了数据存储功能；即在撤除输入信号之后，非逻辑运算的结果能够持久地存储在门电路中，能显著降低工作能耗；且所使用的材料主体为有机聚合物材料，具有工艺简单、可低温制备、成本低、适于柔性应用的优点。

本发明授权一种互补型有机存算一体化非门电路及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种互补型有机存算一体化非门电路，其特征在于，包括衬底1及位于其上的栅电极2、铁电栅聚合物栅介质层3、界面钝化层4及有机半导体层，其中，所述有机半导体层包括p型有机半导体层5及n型有机半导体层6，所述p型有机半导体层5及n型有机半导体层6上均设置有源电极及漏电极；其中，栅电极2、铁电栅聚合物栅介质层3、界面钝化层4、p型有机半导体层5及位于其上的漏电极7和源电极8构成p型有机晶体管存储器，栅电极2、铁电栅聚合物栅介质层3、界面钝化层4、n型有机半导体层6及位于其上的漏电极9和源电极10构成n型有机晶体管存储器；所述p型有机晶体管存储器与n型有机晶体管存储器采用串联模式连接，共用一个栅电极2作为输入端VIN；p型有机半导体层上的源电极8与n型有机半导体层上的漏电极9连接，作为输出端VOUT；p型有机半导体层上的漏电极7连接工作电压VDD，n型有机半导体层上的源电极10作为接地端GND。

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