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龙图腾网获悉中国人民解放军火箭军工程大学申请的专利具有背景光抑制的SiPM前端电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119902184B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510043286.X，技术领域涉及：G01S7/4863；该发明授权具有背景光抑制的SiPM前端电路是由郑浩;何彦名;郭小男;刘延飞;杨东东;杜子昂设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有背景光抑制的SiPM前端电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有背景光抑制的SiPM前端电路，其中，外接APD的阴极连接外部高压电源；背景光强度感知及并发性检测阈值产生电路的输入端连接外接APD的阳极，输出端连接并发性检测电路的输入端；OR树的输入端连接SiPM像元的输出端，输出端连接并发性检测电路的输入端；外接APD用于感知背景光强度；背景光强度感知及并发性检测阈值产生电路用于根据背景光强度输出二进制阈值；SiPM像元用于根据回波信号输出响应电压；OR树用于根据响应电压输出脉冲序列；并发性检测电路用于根据脉冲序列和二进制阈值，输出能够反映目标回波信号的时刻信息的信号，该电路能够有效抑制背景光，提升激光雷达接收器的性能指标。

本发明授权具有背景光抑制的SiPM前端电路在权利要求书中公布了：1.一种具有背景光抑制的SiPM前端电路，其特征在于，包括： 外接APD、背景光强度感知及并发性检测阈值产生电路、SiPM像元、OR树和并发性检测电路；其中， 所述外接APD的阴极连接外部高压电源VHV，阳极连接所述背景光强度感知及并发性检测阈值产生电路的输入端； 所述背景光强度感知及并发性检测阈值产生电路的输出端连接所述并发性检测电路的输入端； 所述SiPM像元的输出端连接所述OR树的输入端； 所述OR树的输出端连接所述并发性检测电路的输入端； 所述外接APD，用于感知背景光强度，并将感知到的背景光强度值转换为光电流iAPD； 所述背景光强度感知及并发性检测阈值产生电路，用于量化光电流iAPD并输出二进制阈值Nthi； 所述SiPM像元，用于接收回波信号，并对接收到的回波信号处理后输出响应电压； 所述OR树，用于接收所述响应电压，并根据所述响应电压输出脉冲序列VOR； 所述并发性检测电路，用于对所述脉冲序列VOR计数后和所述二进制阈值Nthi进行比较，根据比较结果输出能够反映目标回波信号的时刻信息的信号。

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