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龙图腾网获悉珠海百亚电子科技有限公司申请的专利一种高效弯曲分片的半导体硅片分片装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920728B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411982025.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种高效弯曲分片的半导体硅片分片装置是由马子昂;彭宇;林靖淇;林立设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高效弯曲分片的半导体硅片分片装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种高效弯曲分片的半导体硅片分片装置，包括分片组件，分片组件包括弯曲模块、举升模块和固定支架；弯曲模块包括多个吸附块；在平直承托状态时，支撑架朝上移动对多个吸附块承托，多个吸附平面水平共面；在弯曲分片状态时，支撑架朝下移动，除去固定连接的吸附块以外的其他吸附块在重力或拉簧的作用下朝下转动，多个吸附平面非共面。本案基于一个固定的吸附块，其他多个吸附块绕X水平方向转动，因此在吸附平面上放置半导体硅片，并被吸附孔吸附固定，吸附块在重力作用下朝下转动，故可以对具有划痕的半导体硅片分片，并且可通过支撑架的上下位置精确控制，使弯曲模块能够精确在两个状态切换，以提高分片精确性。

本发明授权一种高效弯曲分片的半导体硅片分片装置在权利要求书中公布了：1.一种高效弯曲分片的半导体硅片分片装置，其特征在于，包括分片组件，所述分片组件包括弯曲模块、举升模块和固定支架； 所述弯曲模块包括多个吸附块，所述吸附块沿X水平方向延伸，多个所述吸附块沿Y水平方向排布，所述吸附块上设置有沿所述X水平方向延伸的吸附平面，所述吸附平面上设置有吸附孔，所述吸附块内设置有与所述吸附孔连通的吸附管道，所述吸附管道的外端设置有接口，所述吸附块在所述吸附平面基于所述Y水平方向的边缘设置有铰接部，所述铰接部沿所述X水平方向延伸，相邻的两个所述吸附块中相互靠近的两个所述铰接部铰接； 所述固定支架与其中一个所述吸附块固定连接，其他所述吸附块绕所述X水平方向转动； 所述举升模块包括举升驱动装置和支撑架，所述支撑架沿所述Y水平方向延伸，所述支撑架位于多个所述吸附块的下方，所述举升驱动装置与所述支撑架连接并驱动所述支撑架沿Z轴竖直方向移动； 在平直承托状态时，所述支撑架朝上移动对多个所述吸附块承托，多个所述吸附平面水平共面； 在弯曲分片状态时，所述支撑架朝下移动，除去固定连接的所述吸附块以外的其他所述吸附块在重力作用下朝下转动，多个所述吸附平面非共面。

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