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龙图腾网获悉中山大学;北京师范大学申请的专利一种高n/γ抑制比的六方氮化硼中子闪烁屏获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932523B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113669.X，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种高n/γ抑制比的六方氮化硼中子闪烁屏是由郑伟;朱思琪;欧阳潇;欧阳晓平设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高n/γ抑制比的六方氮化硼中子闪烁屏在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高nγ抑制比的六方氮化硼中子闪烁屏，其制备方法包括以下步骤：将SiC单晶衬底放入CVD炉内，炉体抽真空，加热衬底升温至反应温度，将原料气体BCl3和NH3、或BF3和NH3和载气N2通入炉内，同时加入少量含碳气体进行掺杂使氮化硼膜具有高效发光性能，保温生长，断电冷却，从衬底上剥离后得到六方氮化硼中子闪烁屏。该闪烁屏均由小原子质量的元素组成，具有高的nγ分辨能力。本发明提供了一种具有高nγ抑制比的中子闪烁屏‑碳掺杂六方氮化硼h‑BN:C，本发明在h‑BN膜生长过程中引入碳源对h‑BN进行掺杂使得h‑BN膜显示300～800nm的宽谱发射。

本发明授权一种高n/γ抑制比的六方氮化硼中子闪烁屏在权利要求书中公布了：1.一种高nγ抑制比的六方氮化硼中子闪烁屏的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1、将SiC单晶衬底放入化学气相沉积炉内，炉体抽真空至10-3Pa以下； 步骤S2、加热衬底升温至反应温度，将两种原料气体BCl3和NH3、或BF3和NH3，以及载气N2一起通入炉内，同时加入少量含碳气体进行掺杂使氮化硼膜具有高效发光性能；通气后温度保持在反应温度，进行保温生长； 步骤S3、然后断电，自然冷却至室温后得到微米级碳掺杂h-BN膜，从衬底上剥离后得到六方氮化硼中子闪烁屏； 所述步骤S2中含碳气体包括CH4、C2H2、CCl4中的至少一种； 所述步骤S2中加热衬底升温至反应温度1800~1900℃； 所述步骤S2中两种原料气体BCl3和NH3、或BF3和NH3的气体体积比为1:2； 所述步骤S2中含碳气体与原料气体NH3的气体体积比为0.0001~0.1：1； 所述步骤S2中通气后炉体温度保持在反应温度1800~1900℃，保温4~5h。

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