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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利基于TSV的MEMS电容式加速度计晶圆级封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119936434B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510082234.3，技术领域涉及：G01P15/125；该发明授权基于TSV的MEMS电容式加速度计晶圆级封装结构及封装方法是由许高斌;关存贺;陈兴;马渊明;陈士荣;李文婷;孙百川;刘宏达设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于TSV的MEMS电容式加速度计晶圆级封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明属于传感器技术领域，具体涉及基于TSV的MEMS电容式加速度计晶圆级封装结构及封装方法。采用金硅键合与TSV相结合的技术，将金层既作键合介质又作传感器电容极板，解决了MEMS传感器中极板结构与信号引出的集成问题，避免了传统封装中需要单独电极层或额外极板的设计，降低了封装的复杂性。同时，金层具有较低的电阻和良好的电导性，相较于传统的电极材料，能够更好地传输信号，提高MEMS传感器的电气性能。结合TSV技术后，能够在晶圆内部实现短路径信号引出，减少信号衰减和干扰，提升信号完整性和精度。

本发明授权基于TSV的MEMS电容式加速度计晶圆级封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.基于TSV的MEMS电容式加速度计晶圆级封装结构，其特征在于，包括：盖帽层3、衬底层1以及位于所述盖帽层3和所述衬底层1之间被夹合封装的结构层2； 其中，所述结构层2包括XY轴限位块7、Z轴限位块11、一号支撑柱8、二号支撑柱15以及分别位于一号支撑柱8两侧的XY轴加速度传感结构6、Z轴加速度传感结构12；所述XY轴限位块7、Z轴限位块11、一号支撑柱8、二号支撑柱15与衬底层1上表面键合固定；所述一号支撑柱8和所述二号支撑柱15远离衬底层1的一端分别与开设在盖帽层3下表面上的键合支撑柱9键合固定；所述盖帽层3、衬底层1和结构层2键合固定处形成有键合面且所述盖帽层3、结构层2和衬底层1依次通过键合面电气互连，所述键合面通过所述衬底层1上开设的TSV通孔引出至衬底层1外底部的金属焊点24； 所述盖帽层3与结构层2之间、衬底层1与结构层2之间均开设有供XY轴加速度传感结构6和Z轴加速度传感结构12活动的空腔； 所述XY轴加速度传感结构6包括正交排列的XY轴质量块以及位于所述XY轴质量块中心处的一号中心锚点结构20；所述XY轴质量块通过一号中心锚点结构20与衬底层1键合；所述一号中心锚点结构20的两侧分别设置有一号梳齿电极19和二号梳齿电极21，所述一号梳齿电极19和二号梳齿电极21随着所述XY轴质量块的移动而改变电极正对面积形成电容差； 所述Z轴加速度传感结构12包括Z轴质量块和位于所述Z轴质量块中心处的二号中心锚点结构25；所述Z轴质量块通过二号中心锚点结构25与衬底层1键合；所述Z轴质量块的下方于衬底层1上设置有一号Au层27b，用以Z轴质量块的差分测量； 所述衬底层1上表面设置有若干个二号Au层27a；若干个所述二号Au层27a分别与一号中心锚点结构20、二号中心锚点结构25、一号梳齿电极19和二号梳齿电极21键合； 所述键合面的键合方式为金硅键合。

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