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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利监控光阻结构的涂覆均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119937248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510054086.4，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权监控光阻结构的涂覆均匀性的方法是由董俊;金佩;张其学;王雷;宋振伟;张守龙设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本监控光阻结构的涂覆均匀性的方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种监控光阻结构的涂覆均匀性的方法，首先通过设置好的涂覆程式获取裸片上的光阻结构的第一膜厚数据，然后在确认该涂覆程式的光阻结构涂覆均一性合格之后，通过该涂覆程式在形成有凹陷图形的晶圆上涂覆光阻结构，接着对晶圆上的光阻结构进行OCD量测，获取光阻结构的第二膜厚数据，最后通过比较第一膜厚数据和第二膜厚数据，判断晶圆上的光阻结构的涂覆均匀性是否合格。本申请通过OCD量测具有凹陷图形的晶圆的有源区表面涂覆的若干重复的光阻结构的第二膜厚数据，并通过比较裸片上光阻的第一膜厚数据和具有凹陷图形的晶圆上光阻的第二膜厚数据，可以精准地判断晶圆表面的光阻结构的涂覆均匀性和凹陷图形填充均匀性是否合格。

本发明授权监控光阻结构的涂覆均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种监控光阻结构的涂覆均匀性的方法，其特征在于，包括： 第一步骤：建立一定厚度的光阻结构的涂覆程式； 第二步骤：提供一裸片，并根据所述涂覆程式，在所述裸片上涂覆所述光阻结构； 第三步骤：根据所述裸片表面的光阻结构的光谱信息，对所述裸片表面的光阻结构进行光学关键尺寸量测，获取所述裸片表面的光阻结构在各个方向上的多个点位的第一膜厚数据； 第四步骤：根据所述第一膜厚数据，判断所述涂覆程式在所述裸片表面的涂覆均一性是否合格； 第五步骤：若确认所述涂覆程式在所述裸片表面的涂覆均一性合格，则提供一形成有若干凹陷图形的晶圆，并根据所述涂覆程式，在所述晶圆上涂覆所述光阻结构，其中，所述光阻结构填充所述凹陷图形并且覆盖所述晶圆的表面； 第六步骤：根据形成有凹陷图形的所述晶圆表面的光阻结构的光谱信息，对所述晶圆表面的光阻结构进行光学关键尺寸量测，获取所述凹陷图形之间的晶圆表面的光阻结构的第二膜厚数据； 第七步骤：比较所述第一膜厚数据和所述第二膜厚数据，判断所述晶圆表面的光阻结构的涂覆均匀性是否合格。

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