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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于高阶温度补偿的带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119937712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510081301.X，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种基于高阶温度补偿的带隙基准电路是由刘羽桐;刘爽;刘益安;王俊杰;刘洋设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于高阶温度补偿的带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明属于模拟集成电路设计领域，具体涉及一种基于高阶温度补偿的带隙基准电路。本发明仅使用了两个运算放大器，两次借助运算放大器的钳位功能，先通过两个双极型晶体管的发射极‑基极电压的电压差产生具有一次项系数的PTAT电流，再产生具有对数项系数的CTAT电流，进而得到具有对数项系数的PTAT电流；然后使用电阻将这两种PTAT电流分别转化为具有一次项正温度系数的电压和具有对数项正温度系数的电压，并用这两种不同类型的正温度系数电压，对双极型晶体管的发射极‑基极电压的一次项负温度系数和对数项负温度系数进行补偿；最终得到零温度系数的基准输出电压。采用0.18μm工艺实现，可工业化，适用范围更普遍；且不受温度、电源电压、工艺波动的影响。

本发明授权一种基于高阶温度补偿的带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种基于高阶温度补偿的带隙基准电路，其特征在于：包括带隙基准核心电路、温度补偿电路和启动电路； 所述带隙基准核心电路包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4以及第一运算放大器OP1； 第一三极管Q1的基极和集电极短接并接地，发射极通过第一电阻R1连接第三PMOS管MP3的漏极和第一运算放大器OP1的正相输入端；第二三极管Q2的基极和集电极短接并接地，发射极连接第四PMOS管MP4的漏极和第一运算放大器OP1的反相输入端；第三PMOS管MP3栅极和第四PMOS管MP4的栅极相连，并接在第一运算放大器OP1的输出端，第三PMOS管MP3源极和第四PMOS管MP4的源极均接电源电压； 所述温度补偿电路包括第三三极管Q3、第三NMOS管MN3、第五PMOS管MP5、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第二运算放大器OP2； 第三三极管Q3的基极和集电极短接并接地，发射极通过第四电阻R4连接第三NMOS管MN3的漏极；第五PMOS管MP5的栅极连接第四PMOS管MP4的栅极，其源极接电源电压，漏极通过第二电阻R2也接至第三NMOS管MN3的漏极；第三电阻R3一端接地，另一端连接第三NMOS管MN3的源极和第二运算放大器OP2的反相输入端；第二运算放大器OP2的正相输入端连接第一运算放大器OP1的反相输入端，第二运算放大器OP2的输出端连接第三NMOS管MN3的栅极；第五PMOS管MP5的漏极处作为整个基于高阶温度补偿的带隙基准电路的输出电压端VREF； 所述启动电路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2；第一NMOS管MN1的源极接地，栅极和第二PMOS管MP2的栅极连接并一同连接VREF输出端；第一NMOS管MN1的漏极和第二PMOS管MP2的漏极相连，并接在第二NMOS管MN2的栅极；第一PMOS管MP1的源极接电源电压，栅极和漏极短接后与第二PMOS管MP2的源极连接；第二NMOS管MN2的源极接地，漏极连接第三PMOS管MP3的栅极。

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