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龙图腾网获悉扬州大学申请的专利一种p型栅GaN HEMT器件高温栅偏性能变化分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119940253B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411760200.7，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种p型栅GaN HEMT器件高温栅偏性能变化分析方法是由薛玉雄;刘涵勋;曹荣幸;陈肖;陆雨鑫;周炜翔;李佳妍;丁伟涛设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种p型栅GaN HEMT器件高温栅偏性能变化分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种p型栅GaNHEMT器件高温栅偏性能变化分析方法，包括步骤：首先，针对p型栅GaNHEMT器件进行参数获取及二维建模，并完成精细的网格划分；接着，构建电学模型并进行优化；在验证模型与器件手册数据的一致性后，设置器件的工作条件，包括温度和偏置电压，同时引入晶格加热、陷阱和界面态、迁移率等模型，以准确模拟器件在实际工况下的表现；随后，通过引入时间模型分析不同HTGB应力时间对器件内部缺陷密度、电荷浓度及载流子浓度的影响；最终，仿真分析不同HTGB应力时间后的器件电学特性，评估器件的可靠性。本发明直观地展示了HTGB对器件性能退化的影响机制，并能评估器件性能随时间的变化趋势。

本发明授权一种p型栅GaN HEMT器件高温栅偏性能变化分析方法在权利要求书中公布了：1.一种p型栅GaNHEMT器件高温栅偏性能变化分析方法，其特征在于，包括步骤如下： S1，根据典型p型栅GaNHEMT器件的工艺结构参数，利用软件对器件进行二维建模，并对二维模型进行网格划分，形成与器件结构相匹配的网格化器件结构； S2，采用TCAD软件对网格化器件结构进行电学模型仿真，构建器件电学仿真模型； S3，设置器件的工作温度，采用器件电学仿真模型模拟不同工作温度对器件电学特性的影响； S4，根据器件的工作条件，选择适当的仿真工作温度，设置电极偏置电压； S5，选择TCAD软件仿真所需的物理模型； S6，加入时间模型，设置不同的HTGB应力时间； S7，对不同HTGB应力时间后的器件进行电学特性仿真； S8，获取各个时刻点器件内部缺陷密度、电荷浓度和载流子浓度随时间的变化情况； S9，在不同HTGB应力时间下，对器件电学特性和内部微观物理量进行对比，分析器件性能退化机制，并对其可靠性进行评估。

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