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龙图腾网获悉锐石创芯(深圳)半导体有限公司申请的专利低噪声放大器、射频芯片及射频前端模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119945337B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411993484.4，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权低噪声放大器、射频芯片及射频前端模组是由张艺;宋楠;李镁钰;倪建兴设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本低噪声放大器、射频芯片及射频前端模组在说明书摘要公布了：本申请公开了一种低噪声放大器及包括该低噪声放大器的射频信号和射频前端模组，其中低噪声放大器包括第一信号输入端、第二信号输入端、第一放大单元、第二放大单元；第一信号输入端连接于第一放大单元的输入端，且与第一放大单元设置于第一区域；第二信号输入端连接于第二放大单元的输入端，且与第二放大单元设置于第二区域；其中，第一区域和第二区域之间设置有第一屏蔽电极。本申请实施例中，通过设置第一屏蔽电极对不同的射频信号路径进行隔离，一方面减少射频信号在输入和放大的过程中的泄漏，降低低噪声放大器的插损；另一方面避免不同的射频信号在输入和放大的过程中互相干扰，从而改善低噪声放大器的噪声系数。

本发明授权低噪声放大器、射频芯片及射频前端模组在权利要求书中公布了：1.一种低噪声放大器，集成于芯片内，其特征在于，包括第一信号输入端、第二信号输入端、第一放大单元、第二放大单元、第四信号输出端、第五信号输出端、第六信号输出端，所述第一信号输入端和所述第二信号输入端用于输入不同频段的射频信号，所述第四信号输出端、所述第五信号输出端和所述第六信号输出端均连接于所述第一放大单元和所述第二放大单元； 所述第一信号输入端连接于所述第一放大单元的输入端，且与所述第一放大单元设置于第一区域，所述第一区域临近于所述芯片的第一边沿； 所述第二信号输入端连接于所述第二放大单元的输入端，且与所述第二放大单元设置于第二区域，所述第二区域临近于所述芯片的第二边沿； 其中，所述第一区域和所述第二区域之间设置有第一屏蔽电极，所述第四信号输出端与所述第五信号输出端之间设置有第四屏蔽电极； 所述第四信号输出端、所述第五信号输出端和所述第六信号输出端呈三角形布设； 所述第六信号输出端与所述第四信号输出端之间设置有第五屏蔽电极，所述第六信号输出端与所述第五信号输出端之间设置有第六屏蔽电极，所述第四屏蔽电极、所述第五屏蔽电极和所述第六屏蔽电极相连接且接点位于所述三角形内；或者，所述芯片还设有第七屏蔽电极，所述第六信号输出端位于所述第七屏蔽电极的第一侧，所述第四信号输出端和所述第五信号输出端位于所述第七屏蔽电极的第二侧，所述第四屏蔽电极与所述第七屏蔽电极相连接且接点位于所述三角形内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人锐石创芯(深圳)半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋2101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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