上海华力集成电路制造有限公司王杨获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510039625.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其制备方法是由王杨;潘世友;张志刚;单铎;王奇伟设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，在制备方法中，通过调整用于打开轻掺杂漏区的光罩，扩大中压器件区的轻掺杂漏区二之间的间距，使得在制备中压器件区的栅极之后，本申请中压器件区的栅极与轻掺杂漏区二在空间上重叠区域的横向尺寸比传统中压器件的栅极与轻掺杂漏区在空间上重叠区域的横向尺寸小，同时减薄中压器件区的氧化介质层使得最终的栅氧化层厚度小于传统中压器件的栅氧化层厚度，这样既能降低中压器件在关态时的电流Ioff，又能提升中压器件在饱和区工作时的电流Idsat，改善了器件的电性能。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包含低压器件区、中压器件区和高压器件区，所述衬底中形成有多个用于隔离不同器件区的浅沟槽隔离结构； 对衬底分别进行离子注入，以分别在低压器件区形成轻掺杂漏区一、在中压器件区形成轻掺杂漏区二，以及在高压器件区形成轻掺杂漏区三； 形成氧化介质层，所述氧化介质层覆盖所述衬底； 在所述氧化介质层上涂覆光刻胶层； 通过光刻工艺在所述光刻胶层上定义所述中压器件区的开口图形，以得到图案化的光刻胶层； 以图案化的光刻胶层为掩模，刻蚀所述中压器件区的部分厚度的氧化介质层，以得到所述中压器件区的栅氧化层； 去除图案化的光刻胶层； 形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述中压器件区的栅氧化层； 刻蚀所述中压器件区的多晶硅层，以得到中压器件区的栅极，其中，所述栅极与所述衬底中的轻掺杂漏区二在空间上重叠区域的横向尺寸不超过中压器件区的栅极的横向尺寸的六分之一。
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