兰州大学祁菁获国家专利权
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龙图腾网获悉兰州大学申请的专利单晶硅生长炉内部水冷套管表面材料的选择方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119959473B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510060948.4，技术领域涉及：G01N33/00；该发明授权单晶硅生长炉内部水冷套管表面材料的选择方法及装置是由祁菁;李嘉诚;李庚锦;吕学康;杨庄庄;孔顺莲;于博阳;陈柏予;陈明雷设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶硅生长炉内部水冷套管表面材料的选择方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶硅生长炉内部水冷套管表面材料的选择方法及装置，属于光伏技术领域。该方法包括：设置热场边界条件；确定碳氧边界条件，包括确定碳氧杂质来源、碳氧杂质控制方程以及不同输运过程或区域碳氧杂质的边界条件；确定水冷套发射率；进行单晶硅生长试验；分析试验结果选择水冷套管表面材料；水冷套表面材料的发射率越高，晶体表面散热越强，固液界面挠度却越高，熔体内部溶解的氧杂质含量越高，熔体内部中心区域湍流粘度和氧的扩散速率越高；水冷套表面材料的发射率越低，晶体内部的热应力越低。本发明可以通过分析水冷套表面材料发射率对晶体生长中的热场、熔体中的氧杂质分布的影响，为水冷套管表面材料的选择提供指导。
本发明授权单晶硅生长炉内部水冷套管表面材料的选择方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅生长炉内部水冷套管表面材料的选择方法，其特征在于，所述方法包括： 设置热场边界条件； 确定碳氧边界条件，包括确定碳氧杂质来源、碳氧杂质控制方程以及不同输运过程或区域碳氧杂质的边界条件； 确定水冷套发射率； 使用Fluent软件进行单晶硅生长模拟试验； 分析水冷套表面材料的发射率对晶体表面散热、固液界面挠度、熔体内部溶解的氧杂质含量、熔体内部中心区域湍流粘度、氧的扩散速率、晶体生长界面位置的氧杂质浓度和晶体内部的热应力的影响，选择水冷套管表面材料。
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