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龙图腾网获悉中国科学院近代物理研究所申请的专利用于医用同位素生产的RFQ加速器的设计方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967694B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411809556.5，技术领域涉及：H05H9/00；该发明授权用于医用同位素生产的RFQ加速器的设计方法及系统是由何源;窦为平;王志军;黄玉璐;李晨星;金晓凤;施龙波;黎晓晓设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于医用同位素生产的RFQ加速器的设计方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及医疗技术领域，提供一种用于医用同位素生产的RFQ加速器的设计方法及系统，其中设计方法包括：确定RFQ加速器的目标工作频率范围；基于目标工作频率范围，对RFQ加速器的结构参数进行优化，确定RFQ加速器的优化动力学设计方案；对RFQ加速器的结构参数进行高频设计，确定RFQ加速器的高频设计方案；对RFQ加速器中冷却流道的结构参数进行优化，确定RFQ加速器的物理设计方案，得到用于医用同位素生产的RFQ加速器。本发明通过对RFQ加速器的最佳工作频率范围进行选取，并在最佳工作频率下对RFQ加速器的结构参数进行优化，能够缩短RFQ加速器的长度，降低生产成本，并提升α束流的传输效率。

本发明授权用于医用同位素生产的RFQ加速器的设计方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于医用同位素生产的RFQ加速器的设计方法，其特征在于，包括： 确定RFQ加速器的目标工作频率范围； 基于所述目标工作频率范围，对所述RFQ加速器的结构参数进行优化，确定第一优化参数，所述第一优化参数用于确定所述RFQ加速器的优化动力学设计方案； 基于所述优化动力学设计方案，对所述RFQ加速器的结构参数进行高频设计，确定第二优化参数，所述第二优化参数用于确定所述RFQ加速器的高频设计方案； 基于所述高频设计方案，对所述RFQ加速器中冷却流道的结构参数进行优化，得到第三优化参数，所述第三优化参数用于确定所述RFQ加速器的物理设计方案； 基于所述物理设计方案，得到用于医用同位素生产的RFQ加速器； 其中，基于所述目标工作频率范围，对所述RFQ加速器的结构参数进行优化，确定第一优化参数，包括： 基于Kilpatrick准则，确定所述目标工作频率范围对应的Kilpatrick场的范围；基于所述RFQ加速器打火系数的预设值和Kilpatrick场的范围，确定最大表面电场范围；基于所述RFQ加速器的最大表面电场与极间电压之间的关系，确定最大表面电场范围对应的极间电压范围；将所述最大表面电场范围和所述极间电压范围确定为第一初始优化参数； 基于公式1和公式2确定加速效率范围；将所述加速效率范围确定为第二初始优化参数； B＝eλ2XVγM0c2a21 X＝1-AI0ka2 其中，A表示加速效率；B表示横向聚焦强度；X表示横向聚焦因数；a表示最小孔径；V表示极间电压；λ表示波长；β表示粒子速度；M0表示粒子静止质量；c表示光速；a表示RFQ最小孔径；I0表示零阶贝塞尔函数；L表示单元长度； 基于场平调节、束流传输效率、打火系数的预设值，对所述RFQ加速器进行束流动力学模拟计算，得到所述RFQ加速器的长度范围；基于所述长度范围和所述极间电压范围，确定所述极间电压范围中最优极间电压对应的最优长度；将所述最优长度确定为第三初始优化参数； 确定导致束流传输效率偏低的第四关键因素，并基于所述第四关键因素对RFQ加速器的结构参数进行优化设计，得到第四初始优化参数； 将所述第四初始优化参数确定为所述第一优化参数； 其中，基于所述优化动力学设计方案，对所述RFQ加速器的结构参数进行高频设计，确定第二优化参数，包括： 比较不同预设结构的RFQ加速器的功率损耗，确定最优功率的预设结构为RFQ加速器的初始结构； 对所述初始结构进行场平调谐设计，得到RFQ加速器的目标结构； 将所述目标结构确定为第二优化参数。

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