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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种动态随机存取存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510072351.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种动态随机存取存储器及其制造方法是由杨冠华;张轩铭;廖福锡;刘孟淦;陈楷飞;卢文栋;李子涵;毛乃德;卢年端;李泠设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种动态随机存取存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种动态随机存取存储器及其制造方法，涉及存储器技术领域，用于实现一次性形成多层的存储单元阵列，在保证存储单元的电学性能和稳定性的前提下，提高动态随机存取存储器的集成密度。所述动态随机存取存储器包括：呈立体阵列分布的多个存储单元。每个存储单元包括的第一晶体管和第二晶体管。第二源区、第二沟道区和第二漏区沿第一方向设置于第一通孔内。第二栅极设置在第一通孔内。第二晶体管包括的第一栅极设置在第一凹口内。第一源极和第一漏极中未与第一栅极电连接的一者设置在第二通孔内。第一源区、第一沟道区和第一漏区沿第三方向分布在第二凹口内。所述动态随机存取存储器的制造方法用于制造上述动态随机存取存储器。

本发明授权一种动态随机存取存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：呈立体阵列分布的多个存储单元、以及用于将不同所述存储单元隔离开的介质结构；所述呈立体阵列分布的多个存储单元包括沿第一方向间隔分布的多层存储层，每层所述存储层包括沿第二方向间隔分布的多个存储组，每个存储组包括沿第三方向间隔分布的多个所述存储单元；所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向互不相同； 每个所述存储单元包括沿所述第三方向分布的第一晶体管和第二晶体管；所述第二晶体管为双栅结构；在同一所述存储单元中，所述第一晶体管包括的第一源极和第一漏极中的一者与所述第二晶体管包括的第一栅极电连接； 所述介质结构内设置有沿所述第三方向间隔分布的第一通孔和第二通孔；所述第二晶体管包括的第二源区、第二沟道区和第二漏区沿所述第一方向设置于所述第一通孔内；所述第二晶体管包括的第二栅极设置在所述第一通孔内，且所述第二晶体管包括的第二沟道区围在所述第二栅极的外周；所述介质结构对应所述第二晶体管包括的第二沟道区的部分设置有向内凹入的第一凹口，所述第二晶体管包括的第一栅极设置在所述第一凹口内； 所述第一源极和所述第一漏极中未与所述第一栅极电连接的一者设置在所述第二通孔内；所述介质结构对应部分所述第二通孔的部分设置有向内凹入的第二凹口，且所述第二凹口与所述第一凹口连通；所述第一晶体管包括的第一源区、第一沟道区和第一漏区沿所述第三方向分布在所述第二凹口内。

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