北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)边兴旺获国家专利权
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龙图腾网获悉北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)申请的专利一种折叠波导慢波结构、行波管及设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120048708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510156325.7，技术领域涉及：H01J23/24；该发明授权一种折叠波导慢波结构、行波管及设计方法是由边兴旺;张琳;潘攀;蔡军设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种折叠波导慢波结构、行波管及设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种折叠波导慢波结构、行波管及设计方法，该折叠波导慢波结构包括由彼此交错分布的多个上栅体和多个下栅体所限定形成的多周期性结构，所述折叠波导慢波结构包括连通的直波导段、弯曲波导连接段以及电子注通道；所述弯曲波导连接段包括内圆弧边界；所述内圆弧边界与直波导段间包括有内圆弧交接部；内圆弧边界所对应的圆心及内圆弧交接部均位于电子注通道所限定的边界内且内圆弧边界的弧顶端点位于电子注通道所限定的边界外。该折叠波导慢波结构能够提升太赫兹行波管的性能。
本发明授权一种折叠波导慢波结构、行波管及设计方法在权利要求书中公布了：1.一种折叠波导慢波结构，其特征在于，包括由彼此交错分布的多个上栅体和多个下栅体所限定形成的多周期性结构，所述折叠波导慢波结构包括连通的直波导段、弯曲波导连接段以及电子注通道；所述弯曲波导连接段包括内圆弧边界；所述内圆弧边界与直波导段间包括有内圆弧交接部； 内圆弧边界所对应的圆心及内圆弧交接部均位于电子注通道所限定的边界内且内圆弧边界的弧顶端点位于电子注通道所限定的边界外； 电子注通道半径为r，慢波结构的半周期长度为p，直波导段的窄边长度为b，内圆弧边界所对应的圆心与电子注通道轴线间在电子注通道径向方向上的第一间隔高度为h1；2r-p+bh1r。
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