无锡零一未来新材料技术研究院有限公司岳敏获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡零一未来新材料技术研究院有限公司申请的专利一种具有人造SEI膜的硅系负极材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120048893B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411820281.5，技术领域涉及：H01M4/38；该发明授权一种具有人造SEI膜的硅系负极材料及其制备方法和应用是由岳敏;张一品;孙洋;董仕晋设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有人造SEI膜的硅系负极材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有人造SEI膜的硅系负极材料及其制备方法和应用，所述硅系负极材料包括硅基材料以及设置于硅基材料上的碳层和导电人造SEI复合层，所述碳层位于硅基材料和导电人造SEI复合层之间；所述导电人造SEI复合层通过反应性前驱体与反应性导电材料反应得到。本发明通过三层结构的设计和层级之间的相互作用，实现了纳米导电材料的均匀紧密稳定的包覆，提升了导电材料的利用率，使所述硅系负极材料具有低膨胀、高容量、优异的导电性能和循环稳定性，提升了包含其的锂离子电池的循环性能。所述硅系负极材料用于负极极片和电池的制作，无需再加入纳米导电材料，简化了电池制作工艺，极大降低了硅系负极材料的使用成本。
本发明授权一种具有人造SEI膜的硅系负极材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种硅系负极材料，其特征在于，所述硅系负极材料包括硅基材料以及设置于所述硅基材料上的碳层和导电人造SEI复合层，所述碳层位于所述硅基材料和导电人造SEI复合层之间；所述导电人造SEI复合层通过反应性前驱体与反应性导电材料进行原位聚合反应得到； 所述反应性前驱体包括含双键单体，所述含双键单体包括苯乙烯类单体和含双键的羧酸单体； 以所述硅基材料和碳层的总质量为100％计，所述反应性前驱体的质量为0.01％-10.00％； 所述反应性导电材料为表面采用含有不饱和双键的官能团改性的纳米导电材料； 所述反应性导电材料的表面不饱和双键的官能团与反应性前驱体发生化学反应形成化学键。
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