中国科学院微电子研究所粟雅娟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种版图光刻工艺窗口的优化方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120065621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311616014.1，技术领域涉及：G03F1/70；该发明授权一种版图光刻工艺窗口的优化方法、装置、设备及介质是由粟雅娟;刘子熙;韦亚一设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种版图光刻工艺窗口的优化方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本申请提供一种版图光刻工艺窗口的优化方法、装置、设备及介质，可以对原始版图进行划分得到多个第一版图片段；对第一版图片段利用工艺窗口优化算法进行工艺窗口优化，得到第二版图片段；第一版图片段对应的第一焦深小于第二版图片段对应的第二焦深；第一焦深和第二焦深为将第一版图片段和第二版图片段分别输入至卷积网络模型预测得到。通过利用工艺窗口优化算法，可以将第一版图片段的焦深进行优化，即扩大工艺窗口，并在掩膜设计阶段之前进行优化，能够尽量提高工艺窗口，本方案结合工艺窗口优化算法和卷积网络模型，能够尽可能的扩大工艺窗口，提高优化准确度。
本发明授权一种版图光刻工艺窗口的优化方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种版图光刻工艺窗口的优化方法，其特征在于，包括： 对原始版图进行划分得到多个第一版图片段； 对所述第一版图片段利用工艺窗口优化算法进行工艺窗口优化，得到第二版图片段；所述第一版图片段对应的第一焦深小于所述第二版图片段对应的第二焦深；所述第一焦深和所述第二焦深为将所述第一版图片段和所述第二版图片段分别输入至卷积网络模型预测得到； 对所述第一版图片段利用工艺窗口优化算法进行工艺窗口优化，得到第二版图片段包括： 在所述第一版图片段的图形信息低于预设图形信息时，对所述第一版图片段利用暴力破解算法进行工艺窗口优化，得到所述第二版图片段； 在所述第一版图片段的图形信息不低于所述预设图形信息时，对所述第一版图片段利用梯度优化算法进行工艺窗口优化，得到所述第二版图片段。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励