长鑫科技集团股份有限公司李晓杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311549929.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李晓杰设计研发完成，并于2023-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底；图形化堆叠结构，位于基底上，包括交替堆叠设置的第一介质层与第一导电层，第一导电层包括导线连接部以及第一导电线，第一导电线在第一方向上连接至导线连接部；台阶结构，位于基底上，包括堆叠设置的多个台阶层组，多个台阶层组构成沿第二方向分布的多阶台阶，且台阶层组包括第二介质层、第二导电层以及第三介质层，第二导电层在第一方向上连接导线连接部，且同一台阶层组内，第三介质层与第二导电层沿第二方向排列且二者在基底上的正投影与第二介质层在基底上的正投影重叠，多个台阶层组的多个第二导电层在基底上的正投影面积相同。本公开实施例改善各层导电线之间的RC延迟。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 图形化堆叠结构，位于所述基底上，包括交替堆叠设置且在所述基底上的正投影重叠的第一介质层与第一导电层，所述第一导电层包括导线连接部以及第一导电线，所述第一导电线在第一方向上连接至所述导线连接部； 台阶结构，位于所述基底上，且位于所述导线连接部沿所述第一方向远离所述第一导电线的一侧，包括堆叠设置的多个台阶层组，所述多个台阶层组构成沿第二方向分布的多阶台阶，且所述台阶层组包括第二介质层、第二导电层以及第三介质层，所述第二导电层在所述第一方向上连接所述导线连接部，且同一所述台阶层组内，所述第三介质层与所述第二导电层沿所述第二方向排列且二者在所述基底上的正投影与所述第二介质层在所述基底上的正投影重叠，所述多个台阶层组的多个所述第二导电层在所述基底上的正投影面积相同，所述第二方向与所述第一方向相交。
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