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龙图腾网获悉西安隆基乐叶光伏科技有限公司申请的专利一种背接触电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076479B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510121269.3，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种背接触电池和光伏组件是由杨亚娣;亢磊;李大伟;赵赞良;平飞林设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以通过岛状钝化结构改变光线在背接触电池中第一区域和或第二区域靠近间隔区域的表面处的传输路径，增大背接触电池的双面率。所述背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和岛状钝化结构。半导体基底的第一面包括第一区域第二区域和间隔区域。第一掺杂半导体层具有靠近间隔区域的第一边界。第二掺杂半导体层和第一掺杂半导体层的导电类型相反，第二掺杂半导体层具有靠近间隔区域的第二边界。岛状钝化结构设置在半导体基底上。其中，至少一个岛状钝化结构至少部分位于第一边界和第一侧壁之间；和或，至少一个岛状钝化结构至少部分位于第二边界和第二侧壁之间。

本发明授权一种背接触电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括：半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和岛状钝化结构； 所述半导体基底具有相对的第一面和第二面；所述第一面包括交替间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的间隔区域；沿所述第一面至所述第二面的方向，所述间隔区域的表面相对于所述第一区域的表面向所述半导体基底内凹入，以形成凹槽结构；所述凹槽结构具有靠近所述第一区域的第一侧壁，以及靠近所述第二区域的第二侧壁； 所述第一掺杂半导体层设置于所述第一区域上，所述第一掺杂半导体层具有靠近所述间隔区域的第一边界； 所述第二掺杂半导体层设置于所述第二区域上，所述第二掺杂半导体层和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反，所述第二掺杂半导体层具有靠近所述间隔区域的第二边界； 所述岛状钝化结构设置在所述半导体基底上；其中，至少一个所述岛状钝化结构至少部分位于所述第一边界和所述第一侧壁之间；和或，至少一个所述岛状钝化结构至少部分位于所述第二边界和所述第二侧壁之间。

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