京东方华灿光电(苏州)有限公司姚振获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(苏州)有限公司申请的专利发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510077648.7，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权发光二极管及其制备方法是由姚振;从颖;张毓;蔡和勋设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。发光二极管包括：依次层叠的缓冲层、填平层、第一半导体层、发光层、电子阻挡层和第二半导体层；所述电子阻挡层包括第一电子阻挡子层和第二电子阻挡子层，所述第二半导体层包括低温半导体子层和高温半导体子层，所述第一电子阻挡子层、所述低温半导体子层、所述第二电子阻挡子层和所述高温半导体子层依次层叠在所述发光层上；所述第一电子阻挡子层为AlNGaNAlGaN叠层，所述低温半导体子层为GaNAlGaNInGaN叠层，所述第二电子阻挡子层为AlGaN层。
本发明授权发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括： 依次层叠的缓冲层101、填平层102、第一半导体层103、发光层104、电子阻挡层105和第二半导体层106； 所述电子阻挡层105包括第一电子阻挡子层151和第二电子阻挡子层152，所述第二半导体层106包括低温半导体子层161和高温半导体子层162，所述第一电子阻挡子层151、所述低温半导体子层161、所述第二电子阻挡子层152和所述高温半导体子层162依次层叠在所述发光层104上； 所述第一电子阻挡子层151为AlNGaNAlGaN叠层，所述低温半导体子层161为GaNAlGaNInGaN叠层，所述第二电子阻挡子层152为AlGaN层。
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