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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种软性3D锥形硅胶神经电极尖端暴露方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120080481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510195754.5，技术领域涉及：B29C43/14；该发明授权一种软性3D锥形硅胶神经电极尖端暴露方法是由吉博文;王炫棋;薛凯;尤小丽;曹宇豪;张梓墨;白睿钰;苑曦宸;常洪龙设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种软性3D锥形硅胶神经电极尖端暴露方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种软性3D锥形硅胶神经电极尖端暴露方法，包括：第一步，基于光固化3D打印机制作树脂凸模和凹模；第二步，通过树脂凸模和凹模间的对准压覆，实现电极点处软性硅胶绝缘层的图案化；第三步，使用水溶性胶带将固化后的软性硅胶绝缘层转印至具有锥状凹槽的亚克力模具；第四步，刮涂导电硅胶填满亚克力模具的锥状凹槽，并旋涂绝缘硅胶封装层。根据本发明，3D神经电极点的绝缘封装层和内部导电结构均基于软性硅胶材料，实现了3D神经电极点的同基质硅胶封装以及电极尖端的直接暴露，可有效解决目前软性3D神经电极绝缘层与导电层之间异质材料界面导致的结合力不足、以及3D电极尖端暴露图案化困难的问题。

本发明授权一种软性3D锥形硅胶神经电极尖端暴露方法在权利要求书中公布了：1.一种软性3D锥形硅胶神经电极尖端暴露方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，基于光固化3D打印机制作树脂凸模和凹模，凸模的多个凸起和凹模的多个凹槽均为等腰梯形截面结构，凸起和对应凹槽的梯形的顶边长度相等，凸模梯形的高度和底角角度均比凹模梯形大，以用于在对准压覆时形成结构化空隙，凸模梯形和凹模梯形的各个尺寸根据待成型的神经电极的图案确定； 步骤2，在树脂凹模表面旋涂绝缘硅胶，然后将树脂凸模和凹模对准压覆； 步骤3，使绝缘硅胶固化，获得已经图案化成型的3D电极点软性硅胶绝缘层，然后取下树脂凸模； 步骤4，使用水溶性胶带粘接树脂凹模上的软性硅胶绝缘层表面，将其转印至内部具有锥状凹槽的亚克力模具，之后用水溶解水溶性胶带，其中，亚克力模具中锥状凹槽的数量、分布与梯形树脂凹模一致，但高度更大，锥角角度决定待成型的3D电极点尖端暴露形状； 步骤5，刮涂导电硅胶，填满亚克力模具的锥状凹槽，并烘干固化，形成电极点内部的软性硅胶导电区，从而得到成型的3D锥形硅胶电极点； 步骤6，旋涂绝缘硅胶封装层并烘干固化，脱模成型得到尖端暴露的软性3D锥形硅胶神经电极点阵列。

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