天合光能股份有限公司陈雪莲获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利一种多层二氧化硅纳米粒子及其制备方法、减反射膜和太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120081382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510242722.6，技术领域涉及：C01B33/14；该发明授权一种多层二氧化硅纳米粒子及其制备方法、减反射膜和太阳能电池是由陈雪莲;张好宾设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多层二氧化硅纳米粒子及其制备方法、减反射膜和太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池领域，公开了一种多层二氧化硅纳米粒子及其制备方法、减反射膜和太阳能电池。所述多层二氧化硅纳米粒子包括中空内核、二氧化硅介孔中间层和二氧化硅包覆壳。本发明的制备方法简单，反应条件温和无毒，效率高，模板剂去除彻底，合成的多层二氧化硅纳米粒子的孔隙率高、透光效果好、分散性好，具有较好的机械强度。
本发明授权一种多层二氧化硅纳米粒子及其制备方法、减反射膜和太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种多层二氧化硅纳米粒子，其特征在于，所述多层二氧化硅纳米粒子从内到外依次包含中空内核、介孔二氧化硅中间层和二氧化硅包覆层，所述多层二氧化硅纳米粒子的整体孔隙率为25-50%； 所述多层二氧化硅纳米粒子的制备方法包括：将中空二氧化硅纳米粒子分散于醇类溶剂和水的混合溶剂中，调节溶液pH值为7-14，再加入硅源，进行反应，在中空二氧化硅纳米粒子表面形成二氧化硅包覆层，得到所述多层二氧化硅纳米粒子；其中，所述中空二氧化硅纳米粒子包含中空内核和介孔二氧化硅外壳； 所述中空二氧化硅纳米粒子的制备方法包括： S1：将中空造孔剂、介孔造孔剂、引发剂和硅源溶于溶剂，在5-10℃进行反应，得到含有纳米粒子P0的溶液，所述纳米粒子P0包含中空造孔剂内核和二氧化硅表层，所述二氧化硅表层包含介孔孔道和填充在介孔孔道中的介孔造孔剂； S2：采用离心水洗的方法去除所述纳米粒子P0的介孔孔道中的介孔造孔剂，得到纳米粒子P1； S3：将所述纳米粒子P1分散于水中，调节溶液pH值至1-1.5，然后在60-70℃下搅拌，采用离心水洗的方法去除中空造孔剂，得到所述中空二氧化硅纳米粒子。
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