上海华虹宏力半导体制造有限公司谢中华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存芯片测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120089179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510181865.0，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权闪存芯片测试方法是由谢中华;韩文娟;孙嘉轩设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存芯片测试方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种闪存芯片测试方法，该方法包括：提供多个闪存芯片；对多个闪存芯片进行擦除操作时的动态功耗测试，得到对应各闪存芯片的功耗值；根据多个闪存芯片的功耗值进行离群统计，确定离群闪存芯片；剔除离群闪存芯片。本申请方案可以在良率测试阶段将存在一些工艺缺陷的闪存芯片剔除，保证流入终端用户的闪存芯片质量。
本发明授权闪存芯片测试方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括： 提供多个闪存芯片； 在常规功能测试后对所述多个闪存芯片进行擦除操作时的动态功耗测试，得到对应各闪存芯片的功耗值；所述常规功能测试包括擦除测试； 根据所述多个闪存芯片的功耗值进行离群统计，确定离群闪存芯片； 剔除所述离群闪存芯片。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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