买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州欧诺半导体设备有限公司申请的专利芯片制造用氧化炉控制参数优化方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120089614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510087149.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权芯片制造用氧化炉控制参数优化方法及相关设备是由何乐;彭定勇;翟悟名;冯小芸;李军;罗栋设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片制造用氧化炉控制参数优化方法及相关设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片制造用氧化炉控制参数优化方法及相关设备，涉及半导体生产制造技术领域，所述芯片制造用氧化炉控制参数优化方法，包括：获取晶圆氧化过程中的传感器参数；将所述传感器参数输入预设的氧化预测模型，确定晶圆氧化预测结果，其中，所述氧化预测模型是由历史传感器数据样本及晶圆氧化结果标签对预设的待训练模型进行训练得到的；根据所述晶圆氧化预测结果，动态调整氧化炉控制参数。本申请通过调整控制参数，减少由于氧化不均匀导致的缺陷，提升晶圆的合格率。氧化预测模型可以帮助避免过氧化或不足氧化等缺陷，提高晶圆的质量。通过精准预测和动态调整，有效控制晶圆的氧化过程，从而提高晶圆的氧化过程的良率。

本发明授权芯片制造用氧化炉控制参数优化方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片制造用氧化炉控制参数优化方法，其特征在于，所述的方法包括： 获取晶圆氧化过程中的传感器参数； 将所述传感器参数输入预设的氧化预测模型，确定晶圆氧化预测结果，其中，所述氧化预测模型是由历史传感器数据样本及晶圆氧化结果标签对预设的待训练模型进行训练得到的，所述氧化预测模型能够学习氧化参数与氧化层质量之间的关系，并根据氧化参数与氧化层质量之间关系进行预测； 根据所述晶圆氧化预测结果，动态调整氧化炉控制参数； 所述动态调整氧化炉控制参数的步骤包括： 根据所述晶圆氧化预测结果与预设的氧化目标值之间的偏差，计算相应的控制参数调整偏差； 根据晶圆氧化过程中不同阶段对控制参数的敏感度，调整预设的控制参数调整策略； 根据所述晶圆氧化预测结果的变化趋势，调整所述控制参数调整策略； 根据实时监测到的工艺环境因素对所述控制参数调整策略进行修正； 所述根据实时监测到的工艺环境因素对所述控制参数调整策略进行修正的步骤包括： 当检测到氧化炉内部气体流动出现异常或偏离预定模式的情况时，根据实际气流与预定气流路径之间的偏差程度和了恢复气流稳定所需要的时间，修正所述控制参数调整策略为采用逐步校正的调整策略控制参数，通过逐步调整而非急剧变化来优化气流； 当温度分布不均匀时，根据温度偏差和各个区域对温度变化的响应程度，修正所述控制参数调整策略为精确调整控制参数； 当压力存在波动时，根据压力变化和压力补偿时间的调整策略，修正所述控制参数调整策略为实时调整控制参数； 根据修正后的所述控制参数调整策略，将所述控制参数调整偏差转换为实际的控制参数调整值； 根据实际的控制参数调整值对氧化炉控制参数进行动态调整。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州欧诺半导体设备有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市钱塘区河庄街道青西二路1099号综合楼602-196号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。