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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利OTP器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510238533.1，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权OTP器件及其制备方法是由杨辉;苏步春设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本OTP器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种OTP器件及其制备方法，OTP器件包括有源区和X向有源区延伸部，第一接触孔在衬底上的投影落入X向有源区延伸部内。通过有源区和第一接触孔版图优化将第一接触孔设在没有层间介质层厚度叠加位置，该位置正好是覆盖相邻两个浮栅的层间介质层形成的夹缝狭窄处，层间介质层覆盖的没有浮栅的位置就不会形成该夹缝狭窄处。将第一接触孔设计在位于X方向相邻的两个浮栅之间的间隙空挡的Y方向延伸区域内，避开Y方向相邻两浮栅的夹缝位置，第一接触孔上下同一宽度，优化接触性能，第一接触孔中填充金属层形成的位线接触电阻正常，确保OTP器件的性能。第一接触孔位置不容易形成层间介质层填充时的空洞，确保第一接触孔正常。

本发明授权OTP器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种OTP器件，其特征在于，包括： 衬底，在与所述衬底的上表面平行的平面内定义相互垂直的X方向和Y方向；所述衬底中形成有沿所述X方向间隔并行排布的若干有源区；所述有源区沿所述Y方向延伸出Y向有源区延伸部，每个所述Y向有源区延伸部沿所述X方向延伸出X向有源区延伸部； 位于所述衬底上方的选择栅和浮栅，所述选择栅沿所述X方向延伸且横跨若干所述有源区；沿所述X方向形成有间隔分布的若干所述浮栅；所述浮栅与所述有源区一一对应分布；所述浮栅在所述衬底上的投影落入所述有源区内；所述X向有源区延伸部位于所述浮栅远离所述选择栅的一侧； 层间介质层，所述层间介质层覆盖所述浮栅、所述选择栅和所述衬底； 第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述层间介质层暴露出所述衬底；沿所述X方向形成有间隔分布的若干所述第一接触孔；所述第一接触孔与所述X向有源区延伸部一一对应分布；所述第一接触孔在所述衬底上的投影落入所述X向有源区延伸部内，且所述第一接触孔位于所述X方向相邻的两个所述浮栅之间的间隙空挡的所述Y方向延伸区域内。

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