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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利监测和表征MOS晶体管双峰效应的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120103099B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510398357.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权监测和表征MOS晶体管双峰效应的方法是由周海平设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本监测和表征MOS晶体管双峰效应的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种监测和表征MOS晶体管双峰效应的方法，包括：在未加背栅电压的条件下测试MOS晶体管的第一IdVg曲线。在加背栅电压的条件下测试第二IdVg曲线。根据第二IdVg曲线得到MOS晶体管的双峰对应的第一和第二峰值栅极电压。进行电压映射，包括：从第二IdVg曲线得到第一和第二峰值栅极电压对应的第一和第二漏极电流，从第一IdVg曲线得到电流对应的第三和第四栅极电压。进行双峰表征值计算，包括：由第二和第一峰值栅极电压之间的第一电压差以及第四和第三栅极电压之间的第二电压差，由第一和第二电压差得到双峰表征值。进行双峰效应判断，包括：当双峰表征值大于0时，判断存在双峰效应，反之没有。本发明能在线监测并及时评估晶体管的双峰效应。

本发明授权监测和表征MOS晶体管双峰效应的方法在权利要求书中公布了：1.一种监测和表征MOS晶体管双峰效应的方法，其特征在于，包括如下步骤： 在未加背栅电压的条件下测试MOS晶体管的第一IdVg曲线，Id表示所述MOS晶体管的漏极电流，Vg表示所述MOS晶体管的栅极电压； 在加背栅电压的条件下测试所述MOS晶体管的第二IdVg曲线； 根据所述第二IdVg曲线得到所述MOS晶体管的双峰对应的第一峰值栅极电压和第二峰值栅极电压，所述第二峰值栅极电压大于所述第一峰值栅极电压； 进行电压映射，包括：从所述第二IdVg曲线得到所述第一峰值栅极电压对应的第一漏极电流以及所述第二峰值栅极电压对应的第二漏极电流；从所述第一IdVg曲线得到所述第一漏极电流对应的第三栅极电压和所述第二漏极电流对应的第四栅极电压； 进行双峰表征值计算，包括：由所述第二峰值栅极电压减去所述第一峰值栅极电压得到第一电压差，由所述第四栅极电压减去所述第三栅极电压得到第二电压差，由所述第一电压差减去所述第二电压差得到所述双峰表征值； 进行双峰效应判断，包括：当所述双峰表征值大于0时，判断所述MOS晶体管存在双峰效应；当所述双峰表征值小于等于0时，判断所述MOS晶体管不存在双峰效应； 还包括对所述第一IdVg曲线进行拟合得到第一IdVg函数； 对所述第二IdVg曲线进行拟合得到第二IdVg函数； 对HVg函数求极大值得到所述第一峰值栅极电压和所述第二峰值栅极电压； 所述HVg函数的公式为： 其中，Gm表示所述MOS晶体管的跨导。

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