长鑫科技集团股份有限公司彭孟杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311688149.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由彭孟杰;王晓玲设计研发完成，并于2023-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供衬底，于阵列区形成第一介质层，于周边区形成第一导电层；于阵列区形成多个接触孔，接触孔贯穿第一介质层并暴露出对应的有源区；于接触孔内填充第二导电层；于第一介质层、第一导电层及第二导电层背离衬底的一侧层叠形成第三导电层及第二介质层；图案化第二介质层、第三导电层、第一介质层及第二导电层，形成多个位线结构，其中，第二介质层、第三导电层、第一介质层及第二导电层按照预设顺序分别图案化，且第一介质层和第二导电层分别采用不同的刻蚀气体进行图案化。本公开利于减少位线结构的寄生电容，以有效提升存储器的性能及可靠性。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底；所述衬底具有阵列区及周边区，还包括：位于所述阵列区内的多个有源区； 于所述阵列区形成第一介质层，于所述周边区形成第一导电层；所述第一导电层图案化后形成栅极； 于所述阵列区形成多个接触孔；所述接触孔贯穿所述第一介质层并暴露出对应的所述有源区； 于所述接触孔内填充第二导电层； 于所述第一介质层、所述第一导电层及所述第二导电层背离所述衬底的一侧层叠形成第三导电层及第二介质层； 图案化所述第二介质层、所述第三导电层、所述第一介质层及所述第二导电层，形成多个位线结构； 其中，所述第二介质层、所述第三导电层、所述第一介质层及所述第二导电层按照预设顺序分别图案化，且所述第一介质层和所述第二导电层分别采用不同的刻蚀气体进行图案化。
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